师资信息详情

语言 ≫ 英语
kawaharamura-toshiyuki-1jpg

川原敏之河原村敏之

教师简历

学位 工学博士（工程学）
学术背景 京都大学工学部工业化学系毕业（2003年）
京都大学大学院工学研究科化学工程系通过与多特蒙德大学（德国）交换项目在德国留学（20038）（2003）
京都大学研究生院工学研究科化学工程硕士课程毕业（2005年）
京都大学大学院工学研究科电子工学科博士课程结业（2008年）
工作经历 参加文部科学省主办的“第一届文部科学省纳米技术暑期学校”（2005-）
日本学术振兴会研究员（DC2）（2007-2008）
XK星空纳米器件研究所助理教授（2008-2011）
通过科学研究补助金（年轻研究员（初创））（2008-2010）
通过科学研究补助金（青年研究员（B））（2010-2012）
大阪东院高中、初中兼职讲师（2004-2007）
担任大学艺生社董事（2006-2007）
XK星空纳米技术研究所助理教授（2011 年）
XK星空纳米技术研究所讲师（2012-）
资质 初中教师资格证（数学）（2007）
高中教师执照（数学）（2007 年）
高中教师执照（科学）(2007)
专业 化学工程
电子
生长技术
薄膜形成反应理论
超声波技术
喷涂技术
流体分析
数值计算
半导体的电子特性
光发射物理学
反应工程
优化
燃料电池
表面处理技术
实验室 姓名 材料创新可持续技术实验室
详情 ·雾气CVD的开发以及新型功能膜和功能元件的开发
·雾滴行为分析和电源开发
·创新交通方式的开发
所属学会 日本应用物理学会
CVD 研究小组 http://cvdjpnorg/
EMShttp://emsjpnorg/

水平滑动即可查看表格的其余部分。

今年讲授的讲座

教师/小组 毕业研究/
研究生院 高级热力学/

水平滑动即可查看表格的其余部分。

研究种子

可讨论的领域 上面列出的一般专业领域
当前研究 金属氧化物薄膜生长涉及的化学反应机理分析

使用氧化锌（ZnO）薄膜的各种器件的制备和评估

环境影响低的生长工艺和设备的开发和设计

利用雾开发新技术

留言

虽然以我目前的水平，能做的不多，但我会作为一名研究员每天努力工作，为大家提供一个大家都会感兴趣的未来。

研究成果

主要奖项等

  • 第37届（2015）日本应用物理学会论文鼓励奖（2015）日本应用物理学会
  • 2014第75届日本应用物理学会秋季学术会议海报奖（2014）日本应用物理学会
  • 第七届薄膜材料与器件研究组最佳论文奖（2010）薄膜材料与器件研究组
  • 第22届（2007年春季）日本应用物理学会讲座鼓励奖（2007年）第54届应用物理学会讲座
  • 第26届EMS奖（2007）电子材料研讨会
  • VBL 青年研究员资助金鼓励奖（2007 年）京都大学 VBL 青年研究员资助金成果发表
  • VBL 青年研究资助金大奖（2006 年）京都大学 VBL 青年研究资助金结果公布
  • 纳米工程高级研究员青年研究员优秀奖（2005）第三届纳米工程高级研究员青年研究员颁奖

代表性研究论文

标题 作者 出版杂志 公告年份
雾气CVD高温反应场中存在的液滴带来的好处 河原村敏之 2026
通过雾气CVD在350°C低温下生长高质量AlOx薄膜的制造机制 KAWAHARAMURA Toshiyuki、Miyabi Fukue、Liu Li、Dang Thai Giang、Akitaka Ito、Fujimura Toshiyuki 日本应用物理学杂志，第 64 卷，第 085503 页 2025
成分阶梯式α-(AlxGa1-x)2O3层中位错缺陷的分析 安冈达也、周见博、刘力、Dang Thai Giang、河原村敏之 RSC Adv，第 14 卷，第 31570 页 2024
在 HCl 支持下通过雾化学气相沉积从乙酰丙酮镓中生长 α-Ga2O3 安冈龙也、刘力、Dang Thai Giang、河原村敏之 纳米材料，第 14 卷，第 1221 页 2024
通过雾气 CVD 沉积栅极氧化物，增强 GaN MOSFET 的场效应迁移率 (>250 cm2/V·s) Kazuki Ikeyama、Hidemoto Tomita、Sayaka Harada、Takashi Okawa、Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura、Hiroki Miyake、Yoshitaka Nagasato 《应用物理快车》，第 17 卷，第 064002 页 2024
氧气流量比对射频磁控溅射生长的AgxO薄膜性能的影响 刘小娇、Dang Thai Giang、安冈达也、刘力、河原村敏之 RSC Adv，第 14 卷，第 23215 页 2024
Ga-Sn-O 薄膜、雾气化学气相沉积 (mist-CVD) 方法和模拟忆阻器：神经形态系统的有前景的建议 伊东亮、杉崎纯男、川原村敏之、松田时吉、川西英德、木村睦美 IEICE 翻译。电子学，E108 卷，第 54 页 2024
通过 Bi3+ 掺杂实现氧化铟薄膜的可见光吸收，实现可见光响应光催化 Yoko Taniguchi、Hiroyuki Nishinaka、Kazuki Shimazoe、Toshiyuki Kawaharamura、Kazutake Kanegae、Masahiro Yoshimoto 材料化学与物理，第 315 卷，第 128961 页 2024
雾气CVD供给限制条件下的生长机制：高温场中雾滴状态的推定 Toshiyuki Kawaharamura、Misaki Nishi、Liu Li、Phimolphan Rutthongjan、Yuna Ishikawa、Masahito Sakamoto、Tatsuya Yasuoka、Kanta Asako、Tamako Ozaki、Miyabi Fukue、Mariko Ueda、Shota Sato、Dang Thai Giang 日本应用物理学杂志，第 63 卷，第 015502 页 2023
雾化学气相沉积法生长的高电导率锑掺杂氧化锡薄膜的表征与研究 刘莉、上田真理子、川原村敏之 RSC Adv，第 13 卷，第 13456 页 2023
大气压下雾气 CVD 制造 Zn1-xMgxO/AgyO 异质结二极管 刘晓娇、Dang Thai Giang、刘莉、河原村敏之 应用表面科学，第 596 卷，第 153465 页 2022
利用载氧源的第三代雾化学气相沉积法提高低温生长的氧化钇薄膜的质量 刘莉、河原村敏之、坂本雅仁、西咲、Dang Thai Giang、佐藤翔太 物理状态 SOLIDI B，第 2021 卷，第 2100105 页 2021
使用激光干涉光刻图案化亚微米特征，通过雾化学气相沉积实现 α-Ga2O3 的外延横向过度生长 Dang Thai Giang、安冈达也、川原村敏之 应用物理快报，第 119 卷，第 041902 页 2021
HCl对第三代雾气化学气相沉积法制备α-Ga2O3薄膜的影响 Tatsuya Yasuoka、Liu Li、Tamako Ozaki、Kanta Asako、Yuna Ishikawa、Miyabi Fukue、Dang Thai Giang、Toshiyuki Kawaharamura AIP 进展，第 11 卷，第 045123 页 2021
c 面蓝宝石上生长的氧化镓 α 和 β 多晶型薄膜的光学表征 Leila Ghadbeigi、Jacqueline Cooke、Dang Thai Giang、Toshiyuki Kawaharamura、Tatsuya Yasuoka、Rujun Sun、Praneeth Ranga、Sriram Krishnamoorthy、Michael A Scarpulla、Berardi Sensale-Rodriguez 电子材料学报，第 50 卷，第 2990-2998 页 2021
n+-Si(100) 衬底上 20 和 100 nm 厚未掺杂铁电氧化铪薄膜的雾化学气相沉积研究 Daisuke Tahara、Hiroyuki Nishinaka、Shota Sato、Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura、Masahiro Yoshimoto、Minoru Noda 日本应用物理学杂志，第 58 卷，第 SLLB10 页 2019
α-(AlxGa1−x)2O3 single-layer and heterostructure buffers for the growth of conductive Sn-doped α-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition Dang Thai Giang、佐藤翔太、Yuki Tagashira、Tatsuya Yasuoka、Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura APL 材料，第 8 卷，第 101101 页 2020
带隙高达 622 eV 的导电硅掺杂 α-(AlxGa1-x)2O3 薄膜 Dang Thai Giang、Yuki Tagashira、Tatsuya Yasuoka、Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura AIP 进展，第 10 卷，第 115019 页 2020
通过调节[H2O]/[Zn]比率的雾化学气相沉积氧化锌薄膜的生长机制 Phimolphan Rutthongjan、Misaki Nishi、Liu Li、Shota Sato、Yuya Okada、Dang Thai Giang、Toshiyuki Kawaharamura 申请。物理。 《快报》，第 12 卷，第 065505 页 2019
雾气 CVD 生长氧化物半导体制造的电子器件及其应用 Dang Thai Giang、马丁·艾伦、Mamoru Furuta、Toshiyuki Kawaharamura 日本应用物理学杂志，第 58 卷，第 090606 页 2019
使用雾化学气相沉积生长的 Zn1-xMgxO 薄膜的成分控制 Phimolphan Rutthongjan, LI LIU, Misaki Nishi, Masahito Sakamoto, Shota Sato, Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep, Dang Thai Giang, Toshiyuki Kawaharamura 日本应用物理学杂志，第 58 卷，第 035503 页 2019
第三代雾气化学气相沉积法制备导电锑掺杂氧化锡薄膜(SnOx:Sb)的研究 Li Liu、Toshiyuki Kawaharamura、Dang Thai Giang、Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Shota Sato、Takayuki Uchida、Shizuo Fujita、Takahiro Hiramatsu、Hiroshi Kobayashi、Hiroyuki Orita 日本应用物理学杂志，第 58 卷，第 025502 页 2019
使用重铬酸铵通过雾气 CVD 生长 α-Cr2O3 单晶 Dang Thai Giang, Yuta Suwa, Masahito Sakamoto, Li Liu, Phimolphan Rutthongjan, Shota Sato, Tatsuya Yasuoka, Ryo Hasegawa, Toshiyuki Kawaharamura 《应用物理快车》，第 11 卷，第 111101 页 2018
雾化学气相沉积两室系统对α-(AlxGa1-x)2O3的带隙工程及维加德定律的验证 Giang T Dang、Tatsuya Yasuoka、Yuki Tagashira、Toshiyasu Tadokoro、Wolfgang Theiss、Toshiyuki Kawaharamura 申请。物理。快报，第 113 卷，第 062102 页 2018
采用溶液基非真空薄膜制备方法雾气CVD制备层状二硫化钼（MoS2）薄膜 佐藤翔太、坂本正仁、河原敏之 材料，第 67 卷 2018
使用高温高压乙腈一步简单溶剂热合成超细氧化镁纳米晶体的方法 Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Masataka Ohtani、Kazuya Kobiro、Toshiyuki Kawaharamura 化学。快报，第 46 卷，第 940-943 页 2017
用于倒置聚合物太阳能电池的混合ZnO薄膜的大气生长 Chandan Biswas、Zhu Ma、Xiaodan Zhu、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Kang L Wang 太阳能材料和太阳能电池，第 157 卷，第 1048-1056 页 2016
基于莱顿弗罗斯特液滴的雾化化学气相沉积多量子阱大气压外延生长技术 KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Dang Thai Giang、NITTA Noriko 申请。物理。快报，第 109 卷，第 15 期 2016
通过雾化学气相沉积在低温下生长的透明导电氧化锌基薄膜 白畑贵宏、河原村、敏之、藤田静夫、奥田宏之 固体薄膜，第 597 卷，第 30-38 页 2015
氧化银肖特基触点和金属半导体 Giang T Dang、Takayuki Uchida、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、FURUTA Mamoru、Adam R Hyndman、Rodrigo Martinez、Shizuo Fujita、Roger J Reeves、Martin W Allen 《应用物理快车》，第 9 卷，第 041101 页 2016
使用雾气化学气相沉积 (Mist-CVD) 常压和水相沉积多晶金属氧化物，用于高效倒置聚合物太阳能电池 朱晓丹、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Adam Z Stieg、Chandan Biswas、Lu Li、Zhu Ma、Mark A Zurbuchen、Qibing Pei、Kang L Wang 纳米快报，第 15 卷，第 4948-4954 页 2015
Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors With In–Ga–Zn–O Channel Grown by Nonvacuum-Processed Mist Chemical Vapor Deposition Giang T Dang、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、FURUTA、Mamoru、Martin W Allen 电子设备通讯，IEEE，第 36 卷，第 5 期，第 463-465 页 2015
II-氧化物及相关氧化物的超声波辅助雾化化学气相沉积 藤田静夫、金子健太郎、池上拓海、川原村、敏之、古田、卫 固体物理状态 (c)，第 11 卷，第 7-8 期，第 1225-1228 页 2014
用于晶体硅太阳能电池背面钝化的氧化铝薄膜的雾化化学气相沉积 Takayuki Uchida、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Kenji Shibayama、Shizuo Fujita、Takahiro Hiramatsu、Hiroyuki Orita 《应用物理快车》，第 7 卷，第 2 期，第 021303 页 2014
利用雾滴开发露天大气压薄膜制造技术的物理学；前驱体流量的控制 河原村敏之 日本。 J应用程序。物理学，第 53 卷，第 5S1 期，第 05FF08 页 2014
通过溶液常压沉积形成的具有氧化铟镓锌通道和氧化铝栅极电介质堆栈的薄膜晶体管的电性能 FURUTA、Mamoru、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、WANG、Dapeng、Tatsuya Toda、HIRAO、Takashi IEEE 电子设备通讯，第 33 卷，第 6 期，第 851-853 页 2012
通过细通道雾化学气相沉积成功生长导电高结晶 Sn 掺杂 a-Ga2O3 薄膜 河原村、敏之、大詹丹、古田、卫 日本应用物理学杂志，第 51 卷，第 040207-1-040207-3 页 2012
Photo-Leakage Current of Thin-Film Transistors with ZnO Channels Formed at Various Oxygen Partial Pressures under Visible Light Irradiation S。 Shimakawa, Y Kamada, KAWAHARAMURA, Toshiyuki, WANG, Dapeng, LI, Chaoyang, S Fujita, HIRAO, Takashi, FURUTA, Mamoru 日本应用物理学杂志，第 51 卷，第 03CB04-1-03CB04-4 页 2012
通过照射Ar束控制Si晶体的膨胀高度 MOMOTA、Sadao、Jango Hangu、Takuya Toyonaga、Hikaru Terauchi、Kazuki Maeda、Jun Taniguchi、HIRAO、Takashi、FURUTA、Mamoru、KAWAHARAMURA、Toshiyuki 纳米科学与纳米技术杂志，第 12 卷，第 1 期，第 552-556 页 2012
使用重离子束进行纳米尺寸的3D加工 桃田佐夫、平尾隆、古田守、川原村俊之、谷口淳 XK星空学报，第 8 卷，第 1 期，第 89-94 页 2011
室温下注入 60 keV Sn 离子的热液 ZnO 的光致发光、形貌和结构 Tai Jan Dan、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、NITTA、Noriko、HIRAO、Takashi、T Yoshiie、TANIWAKI、Masafumi J。应用。物理学，第 109 卷，第 123516 页 2011
注入 60 keV Sn+ 的 ZnO 晶圆的特性 Tai Jan Dan、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、HIRAO、Takashi、NITTA、Noriko、TANIWAKI、Masafumi AIP 会议记录，第 1321 卷，第 270-273 页 2011
通过新开发的横截面 XRD 测量对多壁碳纳米管森林进行晶体结构分析 H古田、T川原村、M古田、K川端、T平尾、T小向、K吉原、Y下本、T大口 应用物理快车，第 3 卷，第 105101-1-105101-3 页 2010
玻璃上高密度短高度直接生长 CNT 图案化发射极 H古田、T 川原村、K 川端、M 古田、T 松田、C Li、T Hirao 表面科学与纳米技术电子杂志，第 8 卷，第 336-339 页 2010
脉冲基底偏压对感应耦合等离子体沉积沉积的 SiO2 薄膜特性的影响 T。平松、T 松田、H 古田、H 新田、T 川原村、C Li、M 古田、T Hirao 日本应用物理学杂志，第 49 卷，第 03CA03-1-03CA03-4 页 2010
射频溅射过程中气体比例和衬底偏压对ZnO纳米结构的结构和光致发光性能的影响 朝阳李、Tokiyoshi Matsuda、Toshiyuki Kawaharamura、Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta、Takahiro Hiramatsu、Takashi Hirao、Yoichiro Nakanishi、Keiji Ichi J。真空。科学。技术。 B，第 28 卷，第 2 期，第 C2B51-55 页 2010
栅绝缘体表面处理对底栅 ZnO 薄膜晶体管均匀性的影响 FURUTA、Mamoru、T Nakanishi、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、FURUTA、Hiroshi、HIRAO、Takashi 电化学和固态快报，第 13 卷，第 H101-H104 页 2010
XK星空公告“碳纳米管的合成及其在场发射灯FEL中的应用” 古田宏、川原村敏之、川端胜正、古田守、平尾隆 XK星空学报，第 6 卷，第 1 期，第 47-55 页 2009
具有凹槽六角锥体纳米结构的低温沉积 ZnO 薄膜发出强烈的绿色阴极发光 朝阳李、Toshiyuki Kawaharamura、Tokiyoshi Matsuda、Hiroshi Furuta、Takahiro Hiramatsu、FURUTA、Mamoru、Takashi Hirao 申请。物理。快报，第 2 卷，第 091601-091603 页 2009
Au 纳米颗粒沉积的 ZnO 纳米微晶薄膜中的二阶光学效应 K。 Ozga、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、A AliUmar、M Oyama、K Nouneh、A Slezak、S Fujita、M Piasecki、A H Reshak、I V Kityk 纳米技术，第 19 卷，第 185709-1-185709-6 页 2008
使用雾气 CVD 方法制造薄膜时精细通道和碰撞混合的影响 河原村敏之、西中博之、藤田静夫 日本材料学会会刊，第 57 卷，第 481-487 页 2008
一种细通道雾化化学气相沉积法制备单晶氧化锌薄膜的方法 河原村敏之、藤田静夫 物理统计。索尔。 (c)，第 5 卷，第 3138-3140 页 2008
ZnO 基薄膜和纳米结构的雾气 CVD 生长 Toshiyuki Kawaharamura、Hiroyuki Nishinaka、Jian-Guo Lu、Yudai Kamada、Yoshio Masuda、Shizuo Fujita J。韩国物理学会，第 53 卷，第 2976-2980 页 2008
通过细通道雾化学气相沉积生长结晶氧化锌薄膜 河原村敏之、西中博之、藤田静夫 日本。 J应用程序。物理学，第 47 卷，第 4669-4675 页 2008
雾气CVD法及其在氧化锌薄膜生长中的应用研究 川原敏之 京都大学工学研究科电子工学系博士论文 2008
线性源超声喷雾化学气相沉积法低温生长ZnO薄膜 西中博之、河原村、敏行、藤田静雄 日本应用物理学杂志，第 46 卷，第 6811-6813 页 2007
雾化学气相沉积法制备ZnO和ZnMgO薄膜及紫外光电探测器 镰田雄大、河原村、敏之、西中博之、藤田静雄 老师。资源。苏克。症状。论文集，第 957 卷，第 K07-27 页 2007
氢和氮在ZnO p型掺杂中的作用 陆建国、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Hiroyuki Nishinaka、Shizuo Fujita 化学物理快报，第 441 卷，第 68-71 页 2007
常压雾气化学气相沉积法合成ZnO基薄膜 陆建国、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Hiroyuki Nishinaka、Yudai Kamada、Takayoshi Oshima、Shizuo Fujita 晶体生长杂志，第 299 卷，第 1-10 页 2007
Al 掺杂 Zn1-xMgxO 薄膜中载流子浓度引起的带隙位移 陆建国、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Hiroyuki Nishinaka、Yudai Kamada、Takayoshi Oshima、Shizuo Fujita 应用物理快报，第 89 卷，第 262107_1-262107_3 页 2006
用于制备ZnMgO薄膜和紫外光电探测器的线性源超声喷雾化学气相沉积方法 镰田雄大、河原村、敏之、西中博之、藤田静夫 日本应用物理学杂志，第 45 卷，第 L857-L859 页 2006
细通道雾化法制备ZnO透明薄膜及其性能 Toshiyuki Kawaharamura、Hiroyuki Nishinaka、Keisuke Kametani、Yoshio Masuda、Masayuki Tanigaki、Shizuo Fujita 日本材料学会会刊，第 55 卷，第 153-158 页 2006

水平滑动即可查看表格的其余部分。

学术演讲、讲座等

  1. 使用雾流的功能性薄膜合成技术“Mist CVD”方法的可能性，全丰田表面处理小组委员会（2025）
  2. 可在常压高温下制备均匀薄膜的雾气CVD装置的开发，第86届日本应用物理学会秋季学术会议（2025年）
  3. 使用雾气CVD在350℃下形成高质量AlOx薄膜的机制II，第86届日本应用物理学会秋季会议（2025年）
  4. 使用雾气 CVD 在 350°C 下形成高质量 AlOx 薄膜的机制 I，第 86 届日本应用物理学会秋季会议（2025 年）
  5. 利用计算机视觉YOLO算法检测α-Ga2O3基刚玉氧化物图像中的位错，IWGO 2024 (2024)
  6. Controlling the growth orientation of AZO films on different AZO seeds layer and applying for photocatalytic applications, the 8th international symposium of Frontier technology (2024)
  7. 大气压下功能性膜合成方法的开发，东京大学大学院工学研究科材料工学研讨会（2023年）
  8. 第三代雾气CVD系统的开发，国际化学工程研讨会（IChES）2023（2023）
  9. 雾气CVD的反应机理，国际化学工程研讨会(IChES) 2023 (2023)
  10. 氧化镓（Ga2O3）晶体生长、薄膜形成及器件应用，中科科技有限公司（2023）
  11. “Development and future possibilities of mist CVD technology” - Current status and future prospects of the attention-grabbing functional film production method using mist flow -, R&D Support Center Co, Ltd (2022)
  12. “雾气CVD技术的发展趋势和未来可能性” - 引人注目的利用雾气流的功能性薄膜生产方法的现状和未来前景 - 科学技术有限公司（2022）
  13. 基于大气压溶液的功能膜形成方法Mist CVD，AIST FIoT Consortium-IJ小组委员会（2022）
  14. 利用雾流的功能性成膜方法“雾CVD”的现状，玻璃科学技术研究组(2022)
  15. 雾流功能薄膜合成技术发展现状，第十四届纳米结构外延生长会议（2022）
  16. 雾气CVD的生长机制，欧洲材料研究学会（E-MRS）2022年春季会议（2022年）
  17. 雾气 CVD 金属氧化物薄膜的制造和表征，2022 年 E-MRS 秋季会议和展览 (2022)
  18. 通过接口控制实现垂直功率器件应用的GaN MOSFET的特性，第67届日本应用物理学会春季会议（2021年）
  19. 使用雾气化学气相沉积 (Mist-CVD) 制备 AgxO/Zn1-xMgxO 肖特基二极管、固态器件和材料的挑战 (SSDM 2021) (2021)
  20. 雾气 CVD 工艺，CEATEC (2019)
  21. 雾气CVD的生长机制，2019年材料研究会议（MRM 2019）（2019）
  22. 使用含雾滴流的 CVD 薄膜生长机制，欧洲材料研究学会 (E-MRS) 2019 年春季会议 (2019)
  23. 雾气CVD中的薄膜生长机制，第66届日本应用物理学会春季会议（2019）
  24. 通过 Mist CVD 生长的刚玉结构 α-(CrxGa1-x)2O3 和 α-(AlxGa1-x)2O3 薄膜的特性，第八届先进材料与纳米技术国际会议（2017）
  25. 雾气CVD沉积高导电性锑掺杂氧化锡薄膜的影响因素、固态器件和材料(SSDM 2017) (2017)
  26. 使用雾气 CVD、固态器件和材料制造氧化钇薄膜的研究 (SSDM 2017) (2017)
  27. 通过雾化学气相沉积、固态器件和材料控制 ZnMgO 薄膜的成分 (SSDM 2017) (2017)
  28. 雾气CVD生长温度对ZnO缓冲层上ZnMgO薄膜特性的影响，第六届国际前沿技术研讨会(ISFT 2017) (2017)
  29. α-Ga2O3基高功率器件的开发，第六届国际前沿技术研讨会(ISFT 2017) (2017)
  30. Synthetic Method Tailoring to Obtain Morphology Controlled Unary, Binary, and Ternary Metal Oxide Nanoparticles，6th International Symposium on Frontier Technology (ISFT 2017)（2017）
  31. 雾气CVD制备的二硫化钼（MoS2）薄膜的特性评估，第65届日本应用物理学会春季会议（2018）
  32. 通过溶液雾化学气相沉积法制备高介电常数氧化钇薄膜，2017年MRS秋季会议暨展览（2017）
  33. Study on the Effect of Solvents on Fabricating ZnO Thin Films by Solution-Based Mist Chemical Vapor Deposition, 2017 MRS Fall Meeting & Exhibit (2017)
  34. 制备用于一次性信息显示器的 IGZO 涂层的解决方案，第四届纳米科学与纳米技术国际会议 -2017 (ICNSNT-2017) (2017)
  35. 超临界乙腈作为一种新型绿色反应介质，用于单步合成超细氧化镁纳米晶体，第四届国际纳米科学与纳米技术会议-2017 (ICNSNT-2017) (2017)
  36. 作为连续均匀纳米制造的新型多功能工具的细通道反应器，第四届纳米科学与纳米技术国际会议-2017 (ICNSNT-2017) (2017)
  37. 雾气CVD制备的二硫化钼（MoS2）薄膜的性能，第36届电子材料研讨会（2017）
  38. 雾气对金属氧化物薄膜制造的影响，第36届电子材料研讨会（2017）
  39. 溶剂对溶液雾化学气相沉积法制备ZnO薄膜的影响研究，第36届电子材料研讨会（2017）
  40. Development of new reaction control technology using mist flows produced by temporal and spatial separation 2, 78th Japan Society of Applied Physics Autumn Academic Conference (2017)
  41. Challenge to develop omnidirectional transportation means using spherical transmission mechanism, Nanotech Research Institute Symposium (2017)
  42. 表达高温壁附近液滴行为的模型方程的重新审查，纳米技术研究所研讨会（2017）
  43. 气相流动微滴行为观察，纳米技术研究所研讨会（2017）
  44. 雾气CVD制备锡基透明导电薄膜，纳米技术研究院研讨会（2017）
  45. 雾气CVD生产高质量金属氧化物薄膜的反应机理分析，纳米技术研究院研讨会（2017）
  46. 金属化合物热分解过程中水的影响，纳米技术研究所研讨会（2017）
  47. FC雾气CVD生产高质量金属氧化物薄膜的反应机理分析（II），第65届日本应用物理学会春季会议（2018）
  48. 雾气CVD法制备ZnMgO薄膜的成分比研究，纳米技术研究所研讨会（2017）
  49. 通过雾气 CVD 支撑水制造氧化钇 (YOx) 薄膜，纳米技术实验室研讨会（2017 年）
  50. 雾气CVD法中金属化合物和反应场气氛的影响，第65届日本应用物理学会春季会议（2018）
  51. Development of new reaction control technology using mist flows generated by temporal and spatial separation 3, 65th Japan Society of Applied Physics Spring Conference (2018)
  52. 利用时空分离产生的雾流开发新的反应控制技术，第64届日本应用物理学会春季会议（2017年）
  53. 利用雾气在大气压下大面积制造高质量功能薄膜的技术开发，化学工程师学会第 48 届秋季会议（2016 年）
  54. Development of Innovative Atmospheric-Pressure Epitaxial Growth Technique “Mist Chemical Vapor Deposition” based on Leidenfrost state droplets, Global Forum on Advanced Materials and Technologies for Sustainable Development 2016 (2016)
  55. 利用雾滴开发露天大气压薄膜制造技术的物理学：前驱体流动的控制，第76届日本应用物理学会秋季学术会议（2015年）
  56. 大气压下采用高度控制流体技术的雾气 CVD 制造量子器件的挑战，第二届纳米科学与纳米技术国际会议 -2015 (ICNSNT-2015) (2015)
  57. 通过配备大气压下高精度流量控制技术的雾气 CVD 制造功能薄膜和电子器件，AWAD (2015)
  58. 使用大气雾气化学气相沉积法对金属氧化物进行水基和可扩展加工，用于高效倒置聚合物太阳能电池，2014 年 MRS 秋季会议暨展览 (2014)
  59. 基于莱顿弗罗斯特效应的大气压下雾化学气相沉积制备的多量子阱 Fe2O3/Ga2O3，2014 年 MRS 秋季会议暨展览 (2014)
  60. 还原环境下退火对雾气CVD制备的ZnO薄膜性能的影响，ISCS2011 (2011)
  61. 雾沉积法制备氧化镁（MgO）薄膜
    ~大气压下低温生长的挑战~，发光/非发光显示联合研究小组（2011）
  62. 采用细通道雾气CVD法制备单晶氧化锌薄膜的方法，第34届Int症状。化合物半导体（2007）
  63. 细通道雾气CVD法在a面蓝宝石上生长单晶ZnO薄膜，第14期氧化物电子研讨会（2007）
  64. 细通道雾化CVD法制备单晶ZnO薄膜(2)，日本应用物理学会第68届秋季学术会议(2007年)
  65. ZnO 基薄膜和纳米结构的雾气 CVD 生长，第 13 Int。会议。 II-VI 化合物 (2007)
  66. 细通道雾气CVD法在蓝宝石上外延生长ZnO薄膜，第26届电子材料研讨会（2007年）
  67. 细通道雾化CVD法制备单晶ZnO薄膜，第54届春季应用物理协会会议（2007年）
  68. 细通道雾化学气相沉积 (FCM-CVD) 作为一种用于 ZnO 薄膜生长的新技术，第四届 Int。氧化锌及相关材料研讨会 (2006)
  69. 细通道雾气CVD法在蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜，日本应用物理学会第67届秋季学术会议（2006年）
  70. 雾气CVD法制备ZnO薄膜，第25届电子材料研讨会（2006年）
  71. 细通道雾（FCM）法制备ZnO透明薄膜（2），第53届春季应用物理协会会议（2006年）
  72. 雾气CVD法制备各种金属氧化物薄膜，第53届春季应用物理协会会议（2006年）
  73. 国际会议演讲，国际会议演讲（2006）
  74. 细通道雾化（FCM）法制备ZnO透明薄膜，日本应用物理学会第66届秋季学术会议（2005年）
  75. 微通道雾气CVD制备的ZnO薄膜的制备和性能，第24届电子材料研讨会(2005)
  76. 超声喷雾热解CVD法制备ZnO透明薄膜及其性能（2），第52届春季应用物理协会讲座（2005）
  77. 超声喷雾热解CVD法制备ZnO透明薄膜及其性能，日本应用物理学会第65届秋季学术会议（2004年）
  78. 国内会议演示，国内会议演示（2004）

主要专利

  1. 氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构体、ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜的制造方法、ZnO基单晶薄膜和包含ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料(专利申请号2012-125420)
  2. 薄膜、成膜方法以及通过该方法得到的薄膜荧光体(日本特开2011-021159号公报)
  3. 评价多壁碳纳米管聚集结构的方法（专利申请2010-061933）
  4. 雾刻装置及雾刻方法(专利申请2010-45991)
  5. 薄膜、成膜方法以及通过该方法获得的薄膜荧光体（专利申请2009-169617）
  6. 电子发射器件（专利申请2009-47406）
  7. 喷射原料气体的喷嘴及化学气相沉积装置（专利申请2006-083679）
  8. 成膜方法及成膜装置(专利申请2005-332083)
  9. 成膜用雾化装置(JP 2005-305233)
  10. 成膜方法及成膜装置(日本特开2005-307238号公报)

科研经费

KAKEN 是国家信息研究所提供的一项服务。

分类 研究主题 研究类别 研究期 作业编号
代表 利用雾I-Mist法的特点开发电子器件制造技术的应用技术- 年轻研究员(B) 2010 - 2011 22760232
代表 三维物体功能薄膜生产技术莱顿弗罗斯特效应的基本分析 具有挑战性的探索性研究 2014 - 2015 26630395
代表 使用下一代雾气 CVD 开发氧化物量子器件，实现原子级控制 年轻研究员(A) 2015 - 2018 15H05421
代表 雾气CVD制造高压HEMT 特别研究员奖学金 2016 - 2018 16F16373
分享 基于ZnO基纳米结构光致发光特性开发高灵敏度氢气探测器 基础研究（C） 2017 - 2019 17K06394
分享 单片谐振器宽带隙半导体波长转换器件的开发 具有挑战性的研究（探索性） 2017 - 2018 17K19078
代表 使用雾气CVD创建超宽带隙氧化物量子器件的纳米结构控制基础研究 基础研究（B） 2018 - 2021 18H01873

水平滑动即可查看表格的其余部分。

有竞争力的资金等

研究主题 企业名称等 研究期 收货人 班主任
实现高品质/高均匀性薄膜的非真空成膜工艺的研究与开发 能源/环境新技术引领计划 2015/02/27～2017/02/28 国家研究开发署新能源和产业技术开发组织 川原村敏之
利用莱顿弗罗斯特现象开发能量再生系统 公私青年研究员发现支持项目/匹配支持阶段 2022～2023 新能源产业技术综合开发机构(NEDO) 川原敏之

水平滑动即可查看表格的其余部分。

社会贡献及公关活动

外部委员会成员、学术活动等

  1. 日本学术振兴会R071创新薄膜接口委员会（2025-2030）
  2. 日本应用物理学会计划编辑委员会（2024-2026）
  3. 薄膜材料与器件研究组执行委员会主席（第21届）（2024-2025）
  4. 第十六届纳米结构/外延生长讲座委员会委员（2023-2024）
  5. 电子学会、电子信息与通信工程师学会电子器件（ED）研究委员会委员（2021-）
  6. 薄膜材料与器件研究组执行委员会主席（第20届）（2023年）
  7. 薄膜材料与器件研究组组委会成员（2014-）
  8. 国际固态器件与材料会议论文管理（2013-2016）
  9. 电子材料研讨会电子材料研讨会（EMS）执行委员会（2009-2011）
  10. CVD研究组秘书

参与当地活动的委员会

  1. 科学甲子园高知县比赛裁判（2025~）
  2. 科学甲子园高知县比赛裁判（2024~）
  3. 香美市教育委员会、香美市花鸟小学管理委员会委员（2022-2024）
  4. 香美市政府香美市全球变暖对策地区协议会主席（2022-2024）
  5. 高知县教育委员会科学甲子园高知县锦标赛裁判（2022年）
  6. 高知县教育委员会科学甲子园高知县锦标赛裁判
    （2021）
  7. 香美市政府香美市全球变暖对策地区协议会主席（2020-2022）
  8. 香美市教育委员会、香美市花鸟小学管理委员会委员（2020-2021）
  9. 香美市教育委员会、香美市花鸟小学管理委员会委员（2019-2020）
  10. 香美市教育委员会、香美市花鸟小学管理委员会委员（2018-2019）
  11. 香美市政府香美市全球变暖对策地区协议会主席（2015年-）

其他社交活动等

  1. 高知大学医学院兼职讲师（2020-2023）
  2. 高知大学医学院讲师（兼职）数学科学I、II（2020-2021）
  3. NPO大气离子地震预报研究组e-PISCO主任（2011-）

一般讲座等

  1. 雾气CVD技术的发展及未来的可能性
    ~备受关注的雾流功能性薄膜生产方法的现状与未来展望~，科技有限公司（2020）
  2. 雾气CVD技术的发展及未来可能性，中科科技有限公司（2019）
  3. “雾气CVD技术的发展和未来可能性”~用于在大气压下形成高质量功能膜~，株式会社研发支持中心（2017年）
  4. “雾气CVD技术的发展和未来可能性”〜接近流行的薄膜形成技术雾气CVD的能力〜，科技有限公司（2017）

主要出版物等

  1. “关于 Convertec 的一切”
    “利用雾气开发常压薄膜制造方法的相关原理-原料流量的控制-”，加工技术研究组，2014年，ISBN 9784906451456
  2. 使用雾的薄膜生长技术和加工技术的开发，Convertec，2011

学术期刊/专业期刊

标题 作者 已出版杂志 出版年份
雾气CVD高温反应场中存在液滴带来的“好处” 川原敏之 应用物理学，第 94 卷，第 544-548 页 2025

水平滑动即可查看表格的其余部分。