教职人员

语言 ≫ 日语

教授
河原村敏之

出生年份：1980年
性别：男
隶属关系：

- 系统工程学院
- 工学研究生院工学系智能机械系统工学课程
- 先进功能材料与器件研究室，纳米技术中心，研究院
个人网站：http://wwwnanokochi-techacjp/tosiyuki/index-Ehtml
研究地图：https://researchmapjp/TKawaharamura
文章来自《前沿研究与社会贡献》：
https://wwwkochi-techacjp/english/power/research/development_of_a_non-vacuum_process_to_achieve_high_quality_function_thin_film_fabricationhtml

专业领域
实验室/研究办公室	实验室。材料创新与可持续技术实验室。之雾雾气CVD工艺开发及功能薄膜和器件研究雾滴行为的研究以及使用其的电源的开发开发创新的交通系统
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课程

* 以英语提供的课程带有 (E) 标记

本科学校	毕业论文基础热力学高级工程热力学工程英语工程概要本科生个人作品
研究生院	应用热力学毕业生个人作品研讨会 1 研讨会 3 高级研讨会 1 高级研讨会 2

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研究活动

研究论文	作者：安冈达也、周见博、刘力、Dang Thai Giang、河原村敏之标题：成分阶梯式α-(AlxGa1-x)2O3层中位错缺陷的分析期刊：RSC Adv，卷。 14，p。 31570 年份：2024 年作者：安冈达也、刘力、Dang Thai Giang、川原村敏之标题：在 HCl 支持下通过雾化学气相沉积从乙酰丙酮镓中生长 α-Ga2O3 期刊：纳米材料，卷。 14，p。第1221章年份：2024 年作者：伊东亮、杉崎纯夫、河原村敏之、松田时吉、川西英德、木村睦美标题：Ga-Sn-O 薄膜、雾气 CVD 方法和模拟忆阻器：神经形态系统的有前景的建议期刊：IEICE Trans。电子学，卷。 E108，p。 54 年份：2024 年作者：Xiaojiao Liu、Dang Thai Giang、Tatsuya Yasuoka、Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura 标题：氧气流量比对射频磁控溅射生长的AgxO薄膜性能的影响期刊：RSC Adv，卷。 14，p。 23215 年份：2024 年作者：池山一树、富田英元、原田沙耶香、大川隆、刘力、河原村敏之、三宅宏树、长里义孝标题：通过雾气 CVD 沉积栅极氧化物，增强 GaN MOSFET 的场效应迁移率 (>250 cm2/V·s) 期刊：应用物理快报，卷。 17，p。 064002 年份：2024 年作者：谷口洋子、西中博之、岛添一树、川原村敏之、金江一武、吉本正宏标题：通过 Bi3+ 掺杂实现氧化铟薄膜的可见光吸收，实现可见光响应光催化期刊：材料化学与物理，卷。 315，p。 128961 年份：2024 年作者：Toshiyuki Kawaharamura、Misaki Nishi、Liu Li、Phimolphan Rutthongjan、Yuna Ishikawa、Masahito Sakamoto、Tatsuya Yasuoka、Kanta Asako、Tamako Ozaki、Miyabi Fukue、Mariko Ueda、Shota Sato、Dang Thai Giang 标题：雾气CVD供给限制条件下的生长机制：高温场中雾滴状态的推定期刊：日本应用物理学杂志，卷。 63，p。 015502 年份：2023 年作者：刘莉、上田真理子、川原村敏之标题：雾化学气相沉积法生长的高电导率锑掺杂氧化锡薄膜的表征和研究期刊：RSC Adv，卷。 13，p。 13456 年份：2023 作者：Xiaojiao Liu、Dang Thai Giang、Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura 标题：大气压下雾气 CVD 制造 Zn1-xMgxO/AgyO 异质结二极管期刊：应用表面科学，卷。 596，p。 153465 年份：2022 年作者：Dang Thai Giang、安冈达也、川原村敏之标题：使用激光干涉光刻图案化亚微米特征，通过雾化学气相沉积实现 α-Ga2O3 的外延横向过度生长期刊：应用物理快报，卷。 119，p。 041902 年份：2021 作者：Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura、Masahito Sakamoto、Misaki Nishi、Dang Thai Giang、Shota Sato 标题：利用载氧源的第三代雾化学气相沉积法提高低温生长的氧化钇薄膜的质量期刊：物理状态SOLIDI B，卷。 2021 年，第 17 页。 2100105 年份：2021 作者：Tatsuya Yasuoka、Liu Li、Tamako Ozaki、Kanta Asako、Yuna Ishikawa、Miyabi Fukue、Dang Thai Giang、Toshiyuki Kawaharamura 标题：HCl对第三代雾气化学气相沉积法制备α-Ga2O3薄膜的影响期刊：AIP Advances，卷。 11，p。 045123 年份：2021 作者：Leila Ghadbeigi、Jacqueline Cooke、Dang Thai Giang、Toshiyuki Kawaharamura、Tatsuya Yasuoka、Rujun Sun、Praneeth Ranga、Sriram Krishnamoorthy、Michael A Scarpulla、Berardi Sensale-Rodriguez 标题：c 面蓝宝石上生长的氧化镓 α 和 β 多晶型薄膜的光学表征期刊：电子材料杂志，卷。 50，第 2990-2998 页年份：2021 作者：Dang Thai Giang、Yuki Tagashira、Tatsuya Yasuoka、Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura 标题：带隙高达 622 eV 的导电硅掺杂 α-(AlxGa1-x)2O3 薄膜期刊：AIP Advances，卷。 10，p。 115019 年份：2020 作者：Dang Thai Giang、佐藤翔太、Yuki Tagashira、Tatsuya Yasuoka、Liu Li、Toshiyuki Kawaharamura 标题：α-(AlxGa1−x)2O3 单层和异质结构缓冲层，用于通过雾化学气相沉积生长导电 Sn 掺杂 α-Ga2O3 薄膜期刊：APL Mater，卷。 8，p。 101101 年份：2020 作者：田原大辅、西中博之、佐藤翔太、刘力、河原村敏之、吉本正宏、野田稔标题：n+-Si(100) 衬底上 20 和 100 nm 厚的未掺杂铁电氧化铪薄膜的雾化学气相沉积研究期刊：日本应用物理学杂志，卷。 58，p。 SLLB10 年份：2019 作者：Dang Thai Giang、Martin Allen、Mamoru Furuta、Toshiyuki Kawaharamura 标题：雾气 CVD 生长氧化物半导体制造的电子器件及其应用期刊：日本应用物理学杂志，卷。 58，p。 090606 年份：2019 作者：Phimolphan Rutthongjan、Misaki Nishi、Liu Li、Shota Sato、Yuya Okada、Dang Thai Giang、Toshiyuki Kawaharamura 标题：通过调节[H2O]/[Zn]比率的雾化学气相沉积氧化锌薄膜的生长机制期刊：Appl。物理。快报，卷。 12，p。 065505 年份：2019 作者：Phimolphan Rutthongjan、LI LIU、Misaki Nishi、Masahito Sakamoto、Shota Sato、Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Dang Thai Giang、Toshiyuki Kawaharamura 标题：使用雾化学气相沉积生长的 Zn1-xMgxO 薄膜的成分控制期刊：日本应用物理学杂志，卷。 58，p。 035503 年份：2019 作者：Li Liu、Toshiyuki Kawaharamura、Dang Thai Giang、Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Shota Sato、Takayuki Uchida、Shizuo Fujita、Takahiro Hiramatsu、Hiroshi Kobayashi、Hiroyuki Orita 标题：第三代雾气化学气相沉积法制备导电锑掺杂氧化锡薄膜(SnOx:Sb)的研究期刊：日本应用物理学杂志，卷。 58，p。 025502 年份：2019 作者：Dang Thai Giang、Yuta Suwa、Masahito Sakamoto、Li Liu、Phimolphan Rutthongjan、Shota Sato、Tatsuya Yasuoka、Ryo Hasekawa、Toshiyuki Kawaharamura 标题：使用重铬酸铵通过雾气 CVD 生长 α-Cr2O3 单晶期刊：应用物理快报，卷。 11，p。 111101，日本应用物理学会年份：2018 作者：Giang T Dang、Tatsuya Yasuoka、Yuki Tagashira、Toshiyasu Tadokoro、Wolfgang Theiss、Toshiyuki Kawaharamura 标题：雾化学气相沉积两室系统对α-(AlxGa1-x)2O3的带隙工程及维加德定律的验证期刊：Appl。物理。快报，卷。 113，p。 062102 年份：2018 作者：Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Masataka Ohtani、Kazuya Kobiro、Toshiyuki Kawaharamura 标题：使用高温高压乙腈单步简单溶剂热合成超细氧化镁纳米晶体的方法期刊：化学。快报，卷。 46，第 940-943 页年份：2017 年作者：河原村敏之、Dang Thai Giang、NITTA Noriko 标题：基于莱顿弗罗斯特液滴的雾化化学气相沉积多量子阱大气压外延生长技术期刊：Appl。物理。快报，卷。 109，第15期，AIP出版期刊年份：2016 年作者：Chandan Biswas、Zhu Ma、Xiaodan Zhu、KAWAHARAMURA Toshiyuki、Kang L Wang 标题：用于倒置聚合物太阳能电池的混合ZnO薄膜的大气生长期刊：太阳能材料和太阳能电池，卷。 157，第 1048-1056 页年份：2016 作者：Giang T Dang、Takayuki Uchida、KAWAHARAMURA Toshiyuki、FURUTA Mamoru、Adam R Hyndman、Rodrigo Martinez、Shizuo Fujita、Roger J Reeves、Martin W Allen 标题：氧化银肖特基触点和金属半导体期刊：应用物理快报，卷。 9，p。 041101，日本学术振兴会年份：2016 作者：白畑贵宏、河原村敏之、藤田静雄、折田宏之标题：通过雾化学气相沉积在低温下生长的透明导电氧化锌基薄膜期刊：固体薄膜，卷。 597，第 30-38 页，爱思唯尔年份：2015 年作者：朱晓丹、河原村敏之、Adam Z Stieg、Chandan Biswas、李露、朱马、Mark A Zurbuchen、裴其兵、Kang L Wang 标题：使用雾气化学气相沉积 (Mist-CVD) 常压和水相沉积多晶金属氧化物，用于高效倒置聚合物太阳能电池期刊：纳米快报，卷。 15，第 4948-4954 页，美国化学会年份：2015 年作者：Giang T Dang、河原村敏之、古田守、马丁 W 艾伦标题：采用非真空雾化化学气相沉积法生长的具有 In-Ga-Zn-O 通道的金属半导体场效应晶体管期刊：电子设备快报，IEEE，卷。 36，第 5 期，第 463-465 页，IEEE 年份：2015 年作者：河原村敏之标题：利用雾滴开发露天大气压薄膜制造技术的物理学；前驱体流量的控制期刊：日本。 J应用程序。物理，卷。 53，第 5S1 号，第 14 页。 05FF08 年份：2014 年作者：藤田静夫、金子健太郎、池上匠海、河原村敏行、古田守标题：II-氧化物及相关氧化物的超声波辅助雾化学气相沉积期刊：物理状态固体 (c)，卷。 11，第 7-8 期，第 1225-1228 页年份：2014 年作者：Takayuki Uchida、KAWAHARAMURA Toshiyuki、Kenji Shibayama、Shizuo Fujita、Takahiro Hiramatsu、Hiroyuki Orita 标题：用于晶体硅太阳能电池后表面钝化的氧化铝薄膜的雾化化学气相沉积期刊：应用物理快报，卷。 7，第 2 期，第 14 页。 021303 年份：2014 年作者：FURUTA Mamoru、KAWAHARAMURA Toshiyuki、WANGDapeng、Tatsuya Toda、HIRAO Takashi 标题：具有通过基于溶液的大气压沉积形成的氧化铟镓锌通道和氧化铝栅极电介质堆栈的薄膜晶体管的电性能期刊：IEEE 电子设备快报，卷。 33，第 6 期，第 851-853 页，IEEE 年份：2012 年作者：河原村敏之、Tai Jan Dan、FURUTA Mamoru 标题：通过细通道雾化学气相沉积成功生长导电高结晶 Sn 掺杂 a-Ga2O3 薄膜期刊：日本应用物理学杂志，卷。 51, pp 040207-1-040207-3, 日本应用物理学会< 年份：2012 年作者：S Shimakawa、Y Kamada、KAWAHARAMURA Toshiyuki、WANGDapeng、李朝阳、S Fujita、HIRAO Takashi、FURUTA Mamoru 标题：可见光照射下不同氧分压下形成的具有 ZnO 通道的薄膜晶体管的光漏电流期刊：日本应用物理学杂志，卷。 51页，03CB04-1-03CB04-4，日本应用物理学会〈年份：2012 年作者：MOMOTA Sadao、Jango Hangu、Takuya Toyonaga、Hikaru Terauchi、Kazuki Maeda、Jun Taniguchi、HIRAO Takashi、FURUTA Mamoru、KAWAHARAMURA Toshiyuki 标题：通过照射Ar束控制Si晶体的膨胀高度期刊：纳米科学与纳米技术杂志，卷。 12，第 1 期，第 552-556 页，美国科学出版社年份：2012 年作者：Tai Jan Dan、KAWAHARAMURA Toshiyuki、HIRAO Takashi、NITTA Noriko、TANIWAKI Masafumi 标题：注入 60 keV Sn+ 的 ZnO 晶圆的特性期刊：AIP 会议记录，卷。 1321，第 270-273 页，美国物理研究所年份：2011 作者：Tai Jan Dan、KAWAHARAMURA Toshiyuki、NITTA Noriko、HIRAO Takashi、T Yoshiie、TANIWAKI Masafumi 标题：室温下注入 60 keV Sn 离子的热液 ZnO 的光致发光、形貌和结构期刊：JAppl。物理，卷。 109，p。 123516 年份：2011 作者：H Furuta、T Kawaharamura、M Furuta、K Kawabata、T Hirao、T Komukai、K Yoshihara、Y Shimomoto、T Oguchi 标题：通过新开发的横截面 XRD 测量对多壁碳纳米管森林进行晶体结构分析期刊：应用物理快报，卷。 3，第 105101-1-105101-3 页，日本应用物理学会年份：2010 作者：H Furuta、T Kawaharamura、K Kawabata、M Furuta、T Matsuda、C Li、T Hirao 标题：玻璃上高密度短高度直接生长 CNT 图案化发射极期刊：表面科学与纳米技术电子期刊，卷。 8，第 336-339 页，日本表面科学会年份：2010 作者：T Hiramatsu、T Matsuda、H Furuta、H Nitta、T Kawaharamura、C Li、M Furuta、T Hirao 标题：脉冲衬底偏压对感应耦合等离子体沉积沉积的 SiO2 薄膜特性的影响期刊：日本应用物理学杂志，卷。 49，第 03CA03-1-03CA03-4 年份：2010 年作者：FURUTA Mamoru、T Nakanishi、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、KAWAHARAMURA Toshiyuki、FURUTA Hiroshi、HIRAO Takashi 标题：栅极绝缘体表面处理对底栅 ZnO 薄膜晶体管均匀性的影响期刊：电化学和固态快报，卷。 13，第 H101-H104 页年份：2010 年作者：朝阳李、Tokiyoshi Matsuda、Toshiyuki Kawaharamura、Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta、Takahiro Hiramatsu、Takashi Hirao、Yoichiro Nakanishi、Keiji Ichi 标题：射频溅射过程中气体比例和衬底偏压对ZnO纳米结构的结构和光致发光性能影响的比较期刊：J Vac。科学。技术。 B，卷。 28，第 2 期，第 C2B51-55 页年份：2010 作者：朝阳李、Toshiyuki Kawaharamura、Tokiyoshi Matsuda、Hiroshi Furuta、Takahiro Hiramatsu、FURUTA Mamoru、Takashi Hirao 标题：具有凹槽六角锥体纳米结构的低温沉积 ZnO 薄膜发出强绿色阴极发光期刊：应用。物理。快报，卷。 2，第 091601-091603 页年份：2009 作者：河原村敏之、藤田静雄标题：一种细通道雾化化学气相沉积法制备单晶氧化锌薄膜的方法期刊：Physica Stat。索尔。 (c)，卷。 5，第 3138-3140 页年份：2008 年作者：K Ozga、KAWAHARAMURA Toshiyuki、A AliUmar、M Oyama、K Nouneh、A Slezak、S Fujita、M Piasecki、A H Reshak、I V Kityk 标题：Au 纳米颗粒沉积的 ZnO 纳米微晶薄膜中的二阶光学效应期刊：纳米技术，卷。 19，第 185709-1-185709-6 年份：2008 作者：Toshiyuki Kawaharamura、Hiroyuki Nishinaka、Jian-Guo Lu、Yudai Kamada、Yoshio Masuda、Shizuo Fujita 标题：ZnO 基薄膜和纳米结构的雾气 CVD 生长期刊：J韩国物理学会，卷。 53，第 2976-2980 页年份：2008 作者：河原村敏之、西中博之、藤田静雄标题：通过细通道雾化学气相沉积生长结晶氧化锌薄膜期刊：日本。 J应用程序。物理，卷。 47，第 4669-4675 页年份：2008 作者：西中博之、河原村敏之、藤田静夫标题：线性源超声喷雾化学气相沉积法低温生长 ZnO 薄膜期刊：日本应用物理学杂志，卷。 46，第 6811-6813 页年份：2007 年作者：陆建国、河原村敏之、西中博之、镰田雄大、大岛隆吉、藤田静雄标题：常压雾化学气相沉积法合成ZnO基薄膜期刊：晶体生长杂志，卷。 299，第 1-10 页年份：2007 年作者：陆建国、河原村俊之、西中博之、藤田静夫标题：氢和氮在 ZnO p 型掺杂中的作用期刊：化学物理快报，卷。 441，第 68-71 页年份：2007 年作者：镰田雄大、河原村敏之、西中博之、藤田静雄标题：利用雾化学气相沉积法制造 ZnO 和 ZnMgO 薄膜及紫外光电探测器期刊：母亲。资源。苏克。症状。论文集，卷。 957，p。 K07-27 年份：2007 年作者：陆建国、河原村敏之、西中博之、镰田雄大、大岛隆吉、藤田静雄标题：Al 掺杂 Zn1-xMgxO 薄膜中载流子浓度引起的带隙位移期刊：应用物理快报，卷。 89，第 262107_1-262107_3 页年份：2006 年作者：镰田雄大、河原村敏之、西中博之、藤田静雄标题：用于制备ZnMgO薄膜和紫外光电探测器的线性源超声喷雾化学气相沉积方法期刊：日本应用物理学杂志，卷。 45，第 L857-L859 页年份：2006 年
特邀讲座	第三代雾气 CVD 系统的开发，国际化学工程研讨会 (IChES) 2023，在线，2023 年雾气 CVD 的反应机理，国际化学工程研讨会 (IChES) 2023，在线，2023 年雾气 CVD 金属氧化物薄膜的制造和表征，2022 年 E-MRS 秋季会议和展览，在线，2022 年雾气 CVD 的生长机制，欧洲材料研究学会 (E-MRS) 2022 年春季会议，虚拟会议，2022 年雾气 CVD 的生长机制，2019 年材料研究会议 (MRM 2019)，横滨研讨会，日本横滨，2019 年利用雾滴开发露天大气压薄膜制造技术的物理学：前体流控制，第 76 届 JSAP 秋季会议，2015 年，名古屋会议中心，名古屋，2015 年通过配备大气压下高精度流量控制技术的雾气 CVD 制造功能薄膜和电子器件，AWAD，韩国济州，2015 年
奖项	第37届JSAP杰出论文奖，2015，JSAP青年科学家奖，JSAP，2015 2014年JSAP海报奖，日本应用物理学会，2014年
日本政府的科学研究补助金	项目名称：利用雾特性的应用技术开发-电子器件制造技术的雾方法- 类别：青年科学家资助金 (B) 项目编号：22760232 项目周期：2010-2011 总预算金额：4,290,000日元关键字：项目名称：莱顿弗罗斯特液滴在三维物体上的功能薄膜制造的基本行为分析类别：为具有挑战性的探索性研究提供资助项目编号：26630395 项目期限：2014-2015年总预算金额：4,030,000日元关键字：项目名称：开发下一代雾气 CVD，实现原子级控制和氧化物量子器件的开发类别：青年科学家资助金 (A) 项目编号：15H05421 项目期限：2015-2018 总预算金额：21,190,000日元关键字：项目名称：雾气CVD制备超宽带隙氧化物量子器件的纳米结构控制基础研究类别：科学研究补助金 (B) 项目编号：18H01873 项目周期：2018-2021 预算总额：17,810,000 日元关键字：

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社交活动

委员会角色	国际固态器件与材料会议程序委员会秘书，2013-2016

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推文