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山本哲也-1jpg

山本哲也山本哲也

教师简历

学位 科学博士
学术背景 北海道大学研究生院物理学硕士课程毕业(1988 年)
大阪大学大学院工学研究科物理学博士课程结业(1997年)
工作经历 分配到旭化成株式会社研究开发总部基础技术中心计算机科学部(1988-1999)
美国EOM国际联盟委员会成员(1992-1997)
达姆施塔特工业大学(德国)派遣研究员(1996-1997)
大阪大学客座研究员(1997-1998)
XK星空助理教授(1999-2002)
XK星空教授(2002-)
东北大学材料研究所兼职讲师(1999-2000)
名古屋工业大学兼职讲师(2000-2001)
宫崎大学兼职讲师(2001-2002)
大阪府立大学兼职讲师(2001-2003)
RIKEN 联合研究员 (2002-2004)
东京工业大学兼职讲师(2003-2004)
资质
专业 材质设计
半导体物理工程
磁性材料物理工程
计算物理
凝聚态理论
实验室 姓名 材料设计中心
详情  (材料)科学的本质取决于你如何看待它。在我们的中心,我们进行研究和开发,根据与发生的“性质和功能”的相关性来回答诸如“固相中的有序是什么?”等问题。尽管已经取得了许多成果,但也存在一些问题需要解决。最近,我一直在研究一种固相结晶方法,通过操纵熵增的原子输运路径,将无序、热/量子涨落以及隐藏在无序中的有序和潜在特性编织在一起,并实现满足应用需求的功能。它是一个先锋中心,为世界提供从不同角度(想法)创建的概念、文字和图像(几何和分析)。
所属学会 日本应用物理学会
材料研究会
日本材料学会
信息显示协会 (SID)

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今年讲授的讲座

教师/小组
研究生院 专题研讨会1 /

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研究种子

可讨论的领域 通用材料设计:成膜工艺与薄膜物理性能之间的关系
计算科学:利用第一原理电子结构计算进行材料设计
材料设计和基础专利
当前研究 宽带隙半导体(ZnO、GaN、AlN、ZnS 等)中的价电子控制

氧化物透明导电膜的电学、光学、磁学特性的设计、成膜设备的开发以及成膜工艺与薄膜功能的关系(电学特性、光学特性、多晶结构引起的晶界效应等)

柔性器件透明电极的设计和功能控制

半导体气体传感器

消息

Emori Ueki“心中有未来的人称为年轻人”

研究成果

主要奖项等

  • 文部科学大臣奖(研究类)。成果名称:“可用于液晶显示器实际应用的氧化锌功能薄膜的研究开发”(2011)文部科学省

代表性研究论文

标题 作者 出版杂志 公告年份
ZnO导电透明超薄膜的杨氏模量和线性热膨胀系数 山本、直树、牧野、久雄、山本、哲也 材料科学与工程进展,2011 年卷 2011
开发 Ga 掺杂 ZnO 透明电极作为液晶显示器中 ITO 电极的替代品 山本、直树、牧野、久男、佐藤、泰、山本哲也 SID 2011 年技术论文摘要,第 1375-1378 页 2011
通过湿法化学蚀刻控制形成 ZnO 精细图案透明电极 山本、直树、牧野、久男、佐藤、泰、山本、哲也 ECS 交易,第 35 卷,第 8 期,第 165-172 页 2011
液晶显示面板用Ga掺杂ZnO透明电极的开发 YAMAMOTO、Naoki、Makino、Hisao、Osone、Satoshi、Ujihara、Akira、Ito、Takahiro、Hokari、Hitoshi、Maruyama、Taketo、Yamamoto、Tetsuya 固体薄膜 2011
O2 流量和沉积后热退火对 Ga 掺杂 ZnO 薄膜光吸收光谱的影响 H牧野,T山田,N山本,T山本 固体薄膜,第 519 卷,第 5 期,第 1521-1524 页 2010
用作液晶显示器透明电极的掺镓 ZnO 薄膜的耐热性 山本、直树、山田贵宏、牧野、久雄、山本、哲也 J。电化学。社会学会,第 157 卷,第 J13-J20 页 2010
基板温度和 Zn 前体对玻璃上多晶 ZnO 薄膜原子层沉积的影响,H Makino、A Miyake、T Yamada、N Yamamoto、T Yamamoto, H牧野、S岸本、A三宅、T山田、N山本、T山本 固体薄膜,第 517 卷,第 3138 页 2009
热退火对Ga掺杂ZnO薄膜电学和光学性能的影响 Hisao Makino、Naoki Yamamoto、Aki Miyake、Takahiro Yamada、Yoshinori Hirashima、Hiroaki Iwaoka、Takahiro Itoh、Hitoshi Hokari、Hisashi Aoki、Tetsuya Yamamoto 固体薄膜,第 518 卷,第 1386-1389 页 2009
表面预处理对玻璃基板上ZnO生长的影响 H牧野、S岸本、A三宅、T山田、N山本、T山本 物理。统计。溶胶。 (a),第 205 卷,第 8 期,第 1971-1974 页 2008
Ga掺杂ZnO薄膜中残余应力与晶体结构的关系 YAMAMOTO、Naoki、Yamada、Takahiro、Miyake、Aki、Makino、Hisao、Kishimoto、Seiichi、Yamamoto、Tetsuya J。电化学。学会,第 155 卷,第 9 期,第 J221-J225 页 2008
玻璃、PMMA 和 COP 基板上透明导电 Ga 掺杂 ZnO 薄膜的特性 山本哲也、山田贵宏、三宅亚纪、森里敏之、有光彻、牧野久雄、山本直树 特邀论文,IEICE TRANSACTIONS on Electronics,VolE91-C,No10,第 1547-1553 页 2008
直流电弧放电离子镀制备厚度小于100nm的低电阻率Ga掺杂ZnO薄膜 山田贵宏、三宅亚纪、岸本精一、牧野久雄、山本直树、山本哲也 应用物理学快报,第 91 卷,第 051915 页 2007
氧分压对100nm以下无掺杂ZnO薄膜薄膜生长及电性能的影响 岸本诚一、山田贵宏、池田圭吾、牧野久男、山本哲也 表面与涂层技术,第 201 卷,第 4000-4003 页 2006
“氧气流量对反应等离子体沉积制备的 Ga 掺杂 ZnO 薄膜晶格动力学和微观结构的影响 山本哲也、光永彻、长田稔、池田圭吾、岸本精一、阿井清、牧野久夫、山田贵宏、酒见敏行、白方翔 超晶格和微观结构,第 38 卷,第 369-376 页 2005
离子镀法制备Ga掺杂ZnO载流子浓度对氧压的依赖性 山本哲也、酒见敏之、阿井清、白方翔 固体薄膜,第 451 卷,第 439-442 页 2004
N 掺杂 ZnO、ZnS 和 ZnTe 中 N 杂质态的控制 山本哲也 日本。 J应用程序。物理学,第 42 卷,第 L514-L516 页 2003
共掺杂用于制造 p 型 ZnO 山本哲也 固体薄膜,第 420-421 卷,第 100-106 页 2002

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主要专利

  1. 氧化锌透明导电膜相关

科研基金

KAKEN 是由国家信息研究所提供的一项服务。

分类 研究主题 研究类别 研究期 作业编号
代表 具有吸附氧化学状态控制的高灵敏度氢传感器 基础研究(A) 2012 - 2014 24241025

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竞争性资金等

研究主题 企业名称等 研究期 收货人 班主任
用于在X射线光电子能谱仪的Cr靶中实现高X射线强度的高熔点膜 知识产权运用促进高速公路 2013/10/31~2014/03/31 日本科学技术振兴机构 (JST) 山本哲也

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社会贡献和公共关系活动

外部委员会成员、学术活动等

  1. 日本 MRS-J 规划 (2011)
  2. IUMRS-ICA 2011 会议规划者 (2011)
  3. AVS国际会议研讨会筹委会及分会主席(ICMCTF) (2009~)
  4. 日本学术振兴会第162届宽禁带光学电子器件委员会委员
  5. 日本学术振兴会半导体接口控制技术第154届委员会委员

其他社交活动等

  1. 日经产业新闻文章“大幅减少单位产量稀有金属铟使用量的技术”
  2. 日本经济新闻第 2 部分(2010 年 3 月 31 日),发表“挑战”文章
  3. 东京电视台《世界商业卫星》特别报道(2010 年 4 月 13 日):远离稀有金属 ~ 开启材料新时代 ~

一般讲座等

  1. “从偶然到设计——给年轻人的建议”,
  2. “可以说失败是成功之源的生活”,
  3. “看到真实事物的眼睛”,
  4. ``发现和发明'',
  5. “科学在人类历史中的作用”,

主要出版物等

  1. 超高效率太阳能电池及相关材料的前沿:第五章薄膜太阳能电池用ZnO基透明导电薄膜,CMC出版有限公司,2011年,ISBN 978-4-7813-03
  2. 氧化锌的前沿技术与未来,CMC出版有限公司,2011年,ISBN 978-4-7813-03
  3. 氧化锌的前沿技术与未来:第4章1液晶显示器用透明导电薄膜,CMC出版有限公司,2011年,ISBN 978-4-7813-03
  4. 氧化锌前沿技术与未来:第七章一、掺杂控制及其发展,CMC出版有限公司,2011,ISBN 978-4-7813-03
  5. 关于新型涂层的一切第2章22(3)反应等离子体沉积法氧化锌透明导电膜,加工技术研究集团有限公司,2009年
  6. 透明导电薄膜的新进展III - ITO及其替代材料发展现状 - 第8章,CMC出版有限公司,2008年,ISBN 978-4-7813-00
  7. 最新透明导电膜全集第四章氧化锌透明导电膜,信息技术公司,2007年,ISBN 9784901677875
  8. 最新透明导电薄膜全集,第九章,采用第一原理电子结构计算方法的氧化锌材料设计,信息技术公司,2007年,ISBN 9784901677875
  9. 最新导电材料全集[第2部分]第16章第2节氧化锌透明导电膜,技术信息协会,2007年,ISBN 978-4-86104-1
  10. ZnO体系最新技术及应用,合著者,第三章透明导电薄膜,CMC出版社,2007年,ISBN 978-4-88231-6
  11. 旨在消除ITO的透明导电膜的低电阻、低温、大面积成膜技术,第2章第3节电弧放电沉积方法,技术信息协会,2005年,ISBN 978-4-86104-1
  12. 最新透明导电薄膜趋势 - 材料设计、成膜技术及应用开发 -,第 13 章氧化锌,信息技术公司,2005 年,ISBN 4-901677-33-0
  13. 最新透明导电薄膜趋势 - 材料设计、成膜技术及应用开发 -,第 6 章氧化锌,信息技术公司,2005 年,ISBN 4-901677-33-0

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