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渡森道夫渡森道雄

  • 1962年出生的男性
  • 隶属关系：
    • 系统工程组
    工学研究科基础工学系电子光学系统工学课程

教师简历

学位 工程学博士
学术背景 大阪大学研究生院博士课程结业（1990年）
工作经历 大阪大学助理
资质
专业 表面/界面物理
离子束分析
薄膜特性
实验室 名称 处理器电路设计与控制（实验室）
详情 我们的目标是使用处理器以简单且廉价的方式实现传统上昂贵且复杂的电子电路。随着电子产品的普及，处理器取得了显着的进步，现在能够取代以前在昂贵的测量设备中使用的电路。通过实际制造，您不仅会提高您的设计能力，还会提高您的焊接技能。还将使用 3D 打印机。
附属学术团体 日本应用物理学会
日本物理学会
低温学会
日本真空协会

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今年讲授的讲座

教师/小组 毕业研究/
研究生院 研讨会 1 /

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研究种子

可讨论的领域 半导体材料
薄膜创作
电路设计
数字视频编辑
3D 动画
当前研究 功能薄膜的离子束分析

使用微电脑控制电子电路

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研究成果

代表性研究论文

头衔 作者 演示杂志 公告年份
PZT 薄膜的离子束分析 MWatamori、MIsono、HMadono、YKawano、KSasabe、THirao、KOura 申请。冲浪。 《科学》，第 142 期，第 422-427 页 1999
铁电薄膜的高能离子束分析 MWatamori、SHonda、OKubo、IKanno、THirao、KSasabe、KOura 申请。冲浪。 《科学》，第 117/118 期，第 453-458 页 1997
结合使用 16O (α, α) 16O 共振和沟道效应检测 Si 上天然氧化物的新方法 渡森先生、久保先生、大浦先生 申请。冲浪。 《科学》，第 113/114 号，第 403-407 页 1997
使用 16O (α, α) 16O 共振背向散射对氧化物材料中的氧进行沟道分析 MWatamori、THirao、KSasabe 核。仪器。 & 方法，NoB118，第 233-237 页 1996
使用 16O (α, α) 16O 3045MeV 共振对 Si 上的 SiO2 薄膜进行背散射分析 MWatamori、KOura、THirao、KSasabe 核。仪器。 & 方法，NoB118，第 228-232 页 1996
基于＾＜16＞O (a, a) ＾＜16＞O 3045 MeV共振反应的精确氧分布分析方法及其在YBa_2Cu_3O_x薄膜中的应用 渡森先生 1900

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社会贡献和公共关系活动

一般讲座等

  1. 什么是负离子？ ,
  2. 什么是光？ ,
  3. 从乐高学习物理，
  4. 电子宠物科学，

主要出版物等

  1. 表面科学系列 5 表面成分分析第 3-6 章“卢瑟福背散射光谱 (RBS)”，Maruzen，1999
  2. “反冲散射 (ERD)”半导体测量词典，科学论坛公司，1993 年
  3. “卢瑟福散射 (RBS)”半导体测量词典，科学论坛公司，1993 年

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