师资信息详情

语言 ≫ 英语
nitta-noriko-2jpg

新田纪子新田纪子

教师简历

学位 博士(工程)
学术背景 从XK星空工学院材料与环境系统工程系退学(因跳级)(2000年)
XK星空工学研究科基础设施工程系硕士课程结业(2002年)
XK星空,工程研究生院,工程科学系,博士课程(早期)完成(2004年)
工作经历 日本学术振兴会研究员 (DC1) (2002)
日本学术振兴会研究员 (PD) (2004)
XK星空研究所助理 (2005)
XK星空工程学院材料与环境系统工程系助理(2006年)
京都大学核反应堆研究所讲师(研究所研究员)(2006)
神户大学工学研究科机械工程系项目研究员(2007)
神户大学大学院工学研究科机械工学科助理教授(兼工学部)(2008年)
XK星空纳米器件研究所讲师(兼任纳米创造中心)(2011年)
XK星空纳米技术研究所(组织名称变更)讲师(2011)
XK星空研究所讲师(兼环境科学与工程系)(2014年)
XK星空,环境科学与工程系,讲师(兼研究所)(2017-2018)
国立量子科学技术研究院合作研究员(2017-2020)
XK星空环境科学与工程系副教授(兼任研究所)(2018-2025)
JST下一代研究人员挑战研究计划业务主管(2021~)
XK星空理工学院(组织更名)副教授(兼任综合研究所)(2023-2025)
XK星空环境科学与工程系副教授(2025-)
XK星空科学与工程学院副教授(2025-)
资质 四级业余无线电操作员 (1990)
全国商业高中协会信息处理认证 3 级 (1991)
日语文档处理技能(文字处理技能)认证 3 级(1991 年)
实用英语水平考试二级(2001)
B 级危险货物处理人员 4 级 (2004)
三级财务规划技术员(2018)
JDLA 深度学习通用 2021 #3(G 测试)(2021)
生态测试(环境社会测试)(2022)
Google Cloud Skills Boost 完成徽章,生成式 AI(9 枚徽章)(2023)
JDLA 生成式 AI 测试 2023 (2023)
微软教育学院奖杯 (2023)
专业 材料工程
实验室 姓名 材料科学实验室
详情  我们正在纳米级研究使用加速器和电子显微镜用能量束(离子和电子)照射半导体材料时会发生什么效应。使用透射电子显微镜(TEM)进行评价。透射电子显微镜是一种使用短波长电子代替光来评估纳米级(1 nm 是 1 米的十亿分之一)材料的设备。除了研究能量束对材料造成的辐照损伤外,我们还致力于辐照下极端非平衡条件下的材料改性以及新型纳米材料的创造。此外,我们还在尝试利用人工智能来分析获得的电子显微镜图像。
附属学术团体 日本金属研究所
日本应用物理学会
日本钢铁研究所
日本材料学会
日本人工智能学会

水平滑动即可查看表格的其余部分。

今年讲授的讲座

教师/小组 物质强度科学/
研究生院 金属材料工程专题讲座/

水平滑动即可查看表格的其余部分。

研究种子

可讨论的领域 使用透射电子显微镜 (TEM) 进行材料评估
使用扫描电子显微镜 (SEM) 进行材料评估
使用聚焦离子束进行微加工
电子显微镜样品制备技术
能量束照射对固体材料的影响
当前研究 离子/电子辐照对半导体材料的影响
富勒烯团簇离子束的照射效果
离子束照射诱导形成精细规则结构
半导体材料中功能添加效果的验证
使用 AI 分析电子显微镜图像

留言

出生于高知县。高知小洲高等学校毕业。XK星空一年级学生。

研究关键字
材料科学、辐照效应、离子辐照、电子辐照、微结构、半导体、晶格缺陷、电子显微镜

迄今为止获得的有竞争力的资金
(本页底部继续显示最近的 KAKENHI 和其他竞争性融资)

<科学研究补助金(代表)>
青年研究员(初创),18860082,2006 年 4 月至 2008 年 3 月(由于工作方式的变化,于 2007 年取消)。
特别研究员补助金,11843,2002 年 4 月至 2005 年 3 月。

<科研资助(分享)>
基础研究 (B) 22360268,首席研究员:Masafumi Taniwaki 教授,XK星空,2010 年 4 月至 2013 年 3 月。(联合研究员)
探索性研究 17656205,首席研究员:Masafumi Taniwaki 教授,XK星空,2005 年 4 月至 2006 年 3 月。(联合研究员)
基础研究 (B) 21360310,首席研究员:Hidehiro Yasuda 教授,大阪大学,2009 年 4 月至 2012 年 3 月。(合作研究员)

<其他外部资金>
铠侠鼓励研究(原东芝记忆鼓励研究),2019 年 2 月至 2020 年 3 月。
纳米技术平台试用,2017 年 4 月至 2018 年 3 月。
宜屋科学技术基金会研究补助金,2012 年 4 月至 2013 年 3 月。
宜屋科学技术基金会研究补助金,2009 年 4 月至 2010 年 3 月。
神户大学技术促进会(KTC)2020年第一学期海外培训资助,参加2008年7月第九届亚太显微镜会议(APMC9)。
村田科学基金会研究补助金,2007 年 7 月至 2008 年 7 月。
日本板硝子材料工程基金会研究补助金,2006 年 4 月至 2007 年 3 月。

研究成果

主要奖项等

  • XK星空寺田奖(2004 年)
  • XK星空末松奖(2001 年)
  • XK星空校长奖(2000 年)

代表性研究论文

标题 作者 出版杂志 公告年份
离子束辐照下 GaSb、InSb 和 Ge 中多孔结构发展的表面形貌的比较分析 藤本裕、小田孝宏、石川航平、吉原大树、新田纪子 应用物理学杂志,待出版 2026
阶梯离子束辐照引起的 Ge 表面形态变化 宫田丽、大石直人、新田纪子 真空,第 247 卷,第 115145 页 2026
叶绿素a和b涂层增强TiO2/MnO2复合电极的光电化学电容反应 臼井宏之、中西琴乃、米川圭介、小岛遥、多美泰弘、大石直人、新田纪子、坂口博树 ACS 应用程序。生物材料,第 7 卷,第 3629-3635 页 2024
由赤铁矿和氧化物电解质组成的固态锂电池 Hiroyasu Watanabe、Hiroyuki Usui、Yasuhiro Domi、Kurumi Uetake、Naoto Oishi、NITTA Noriko、Haruki Kurokawa、Hiroki Sakaguchi 材料快报,第 368 卷,第 136674 页 2024
通过在 Ge 上沉积 Au 来控制投影范围的离子照射诱导纳米孔/柱的形成 大石直人、东出夏美、新田纪子 J。应用。物理学,第 135 卷,第 144301 页 2024
用于先进储锂材料的具有层状岩盐结构的镍掺杂二氧化钛 臼井裕之、土美康裕、山本裕也、星武夫、田中敏行、大石直人、新田纪子、坂口裕树 ACS 应用电子材料,第 5 卷,第 6292-6304 页 2023
金红石 TiNbO4 的储钠反应 臼井裕之、土美泰裕、田中智之、竹本正孝、大石直人、新田纪子、坂口裕树 电化学通讯,第 115 卷,第 107579 页 2023
用于锗表面纳米结构的离子束溅射与点缺陷自组织之间的竞争 大石直人、安冈达也、川原村俊之、新田纪子 真空科学与技术学报 A,第 41 卷,第 063101 页 2023
半导体材料中离子辐照诱导的纳米孔/纤维形成和面空位分布 大石直人、上田贵宏、新田纪子 应用物理学杂志,第 133 卷,第 204301 页 2023
锗中 FIB 诱导的纳米孔结构形成的离子束通量依赖性 大石直人、古贺文宏、新田纪子 真空,第 213 卷,第 112123 页 2023
C60离子辐照引起的硅上纳米结构的形态变化 大石直人、村尾芳树、新田纪子、土田英次、富田繁雄、笹公一、平田浩一、柴田宏美、平野吉美、山田圭介、千叶敦也、齐藤雄一、鸣海一正、星野靖 真空科学与技术学报A,第40期,第063103-1-063103-7页 2022
通过三元储钠反应增强CeO2/Sb2O3复合电极的循环性能 Hiroyuki Usuia、Yasuhiro Domia、Isaki Ueharab、Yoshitatsu Itodab、Eiji Iwamab、Naoto Oishi、Noriko Nitta、Hiroki Sakaguchi 《国际陶瓷》,第 48 卷,第 23 期,第 35593-35598 页 2022
利用电子束光刻和离子束辐照在Ge表面制造有序纳米结构 村尾芳树、新田纪子、铃木克赖 日本应用物理学杂志,第 59 卷,第 035001-1-035001-6 页 2020
温度对利用聚焦离子束通过空隙形成和发展来制造 GaSb 纳米电池晶格的影响 重松浩司、森田健二、横山一宏、新田纪子、谷胁雅文 日本应用物理学杂志,第 58 卷,第 3 期,第 065003-1-065003-7 页 2019
通过非法线角离子束辐照制备倾斜InSb纳米结构 Syuhei Yamashita、Tomoya Oishi、Takashi Miyaji、Chiaki Watanebe、Noriko Nitta 哲学杂志通讯,第 98 卷,第 10 期,第 1-10 页 2019
离子束辐照在Ge表面形成纳米孔结构 大石智也、新田纪子 J。 J应用程序。物理学,第 57 卷,第 0913101-1-0913101-6 页 2018
通过常压溶液雾气CVD在低生长温度下制备大面积均匀二硫化钼层状薄膜的挑战 Shota Sato、Noriko Nitta、Masahito Sakamoto、Li Liu、Phimolphan Rutthongjan、Misaki Nishi、Mariko Ueda、Tatsuya Yasuoka、Ryo Hasekawa、Yuki Tagashira、Tamako Ozaki、Ellawala Kankanamge Chandima Pradeep、Giang T Dang、Toshiyuki Kawaharamura 日本应用物理学杂志,第 57 卷,第 110306 页 2018
用快铜簇离子辐照的 GaSb 表面的纤维结构 土田英次、新田纪子、柳田佑介、奥村佑也、村濑龙 J。应用。物理学,第 123 卷,第 161548 号,第 1-7 页 2017
离子束辐照在InSb表面形成纳米孔结构 宫地隆、新田纪子 纳米材料,第 204 卷,第 7 期 2017
GaSb、InSb 和 InSb 中纳米孔结构的形成 Yusuke Yanagida、Tomoya Oishi、Takashi Miyaji、Chiaki Watanabe、Noriko Nitta 纳米材料,第 180 卷,第 7 期 2017
基于莱顿弗罗斯特液滴的雾化化学气相沉积多量子阱常压外延生长技术 KAWAHARAMURA、Toshiyuki、Dang Thai Giang、NITTA Noriko 申请。物理。快报,第 109 卷,第 15 期 2016
通过离子束辐照制造高纵横比纳米细胞晶格 石川修、新田纪子、谷胁雅文 应用表面科学,第 385 卷,第 515-520 页 2016
具有佩斯利形褶皱的扁平多壁碳纳米管束的形成和结构 KOHNO Hideo、Y Masuda、NITTA Noriko 纳米科学与纳米技术快报,第 7 卷,第 675-678 页 2015
Kr 束辐照后硅晶体机械性能的改变 MOMOTA Sadao、郭小伟、NITTA Noriko、YAMAGUCHI Takaharu、Noriyuki Satou、Hideto Tokaji 应用表面科学,第 349 卷,第 123-128 页 2015
低通量离子束辐照引起的硅晶体表面结构的横向变形 桃田贞夫、郭小伟、新田纪子、前田一树 表面科学与纳米技术电子杂志,第 13 卷,第 35-41 页 2015
通过雾化学气相沉积法制造氧化锌纳米结构 李鑫、李、朝阳、河原村、敏之、王、大鹏、新田、纪子、古田、卫、古田、浩、八田、秋光 翻译。垫。资源。苏克。日本,第 39 卷,第 2 期,第 161-164 页 2014
底物对形成的影响 李鑫、李、朝阳、河原村、敏之、王、大鹏、新田、纪子、古田、卫、古田、浩、八田、秋光 纳米科学与纳米技术快报,第 6 卷,第 174-180 页 2014
III-V族化合物半导体中离子辐照诱导的多孔结构的束流依赖性 NITTA、Noriko、HASEGAWA、Tokiya、H Yasuda、K Sato、Q Xu、T Yoshiie、TANIWAKI、Masafumi、HATTA、Akimitsu 固体中的辐射效应和缺陷,第 168 卷,第 4 期,第 247-252 页 2013
通过离子照射在半导体表面形成纳米结构 新田纪子 《材料》,第 52 卷,第 4 期,第 166-172 页 2013
使用聚焦离子束制造锗表面纳米细胞结构 森田健二、新田纪子、谷胁正文 日本金属学会会刊,第77卷,第3期,第64-69页 2013
通过在 Fe/Al 催化剂膜上添加一层薄 Ni 来提高 CNT 生长密度 Hirofumi Koji、FURUTA Hiroshi、Kazuki Sekiya、NITTA Noriko、Toru Harigai、HATTA Akimitsu 钻石及相关材料 2013
纳米纤维的自组织形成分析 HARIGAI、Toru、IWASA、Koyo、KOJI、Hirofumi、NITTA、Noriko、FURUTA、Hiroshi、HATTA、Akimitsu 日本材料研究会汇刊,第 38 卷,第 3 期,第 447-450 页 2013
通过 RF 等离子体 CVD 在硅衬底上沉积类金刚石碳膜的初始阶段以及通过氧等离子体蚀刻去除亚表面层的 X 射线反射率分析 Tooru Harigai、Yuuki Yasuoka、NITTA、Noriko、FURUTA、Hiroshi、HATTA、Akimitsu 金刚石及相关材料,第 38 卷,第 36-40 页 2013
通过在 Fe/Al 催化剂膜上添加一层薄 Ni 来提高 CNT 生长密度 KOJI、Hirofumi、FURUTA、Hiroshi、SEKIYA、Kazuki、NITTA、Noriko、HARIGAI、Tooru、HATTA、Akimitsu 钻石及相关材料 2013
在 Fe/Al 多层催化剂膜上磁控溅射沉积额外的 Ni 薄膜用于控制碳纳米管的生长 Hirofumi Kouji、Tooru Harigai、NITTA、Noriko、FURUTA、Hiroshi、HATTA、Akimitsu 日本材料研究会汇刊,第 37 卷,第 4 期,第 511-514 页 2012
GaSb 中低能电子辐照引起的结构变化 新田纪子、相泽洋太、长谷川时也、安田秀宏 哲学杂志通讯,第 91 卷,第 676-681 页 2011
GaSb 的离子和电子辐照引起的二次缺陷 NITTA、Noriko、E Taguchi、H Yasuda、H Mori、Y Hayashi、T Yoshiie、TANIWAKI、Masafumi 哲学杂志通讯,第 91 卷,第 223-228 页 2011
在受控衬底温度下通过离子照射在Ge表面形成缺陷结构 NITTA、Noriko、T Hasekawa、H Yasuda、Y Hayashi、T Yoshiie、TANIWAKI、Masafumi 《材料交易》,第 52 卷,第 2 期,第 127–129 页 2011
利用聚焦离子束诱导的点缺陷行为在 InSb 上制造纳米电池 森田沙代、NITTA、Noriko、TANIWAKI、Masafumi 表面与涂层技术,第 206 卷,第 5 期,第 792-796 页 2011
Si (111) 表面生长的 GaAs 纳米晶体的厚度依赖性结构转变 H安田、K 松本、T 古川、M 今村、NITTA、Noriko、H Mori 晶体生长杂志,第 314 卷,第 1 期,第 365-369 页 2011
室温下注入 60 keV Sn 离子的水热 ZnO 的光致发光、形貌和结构 Tai Jan Dan、KAWAHARAMURA、Toshiyuki、NITTA、Noriko、HIRAO、Takashi、T Yoshiie、TANIWAKI、Masafumi J。应用。物理学,第 109 卷,第 123516 页 2011
GaSb和InSb中重离子辐照引起的空洞形成和结构变化 新田纪子、长谷川时也、安田秀宏、林义彦、吉家丰正、谷胁雅文、森广太郎 材料交易,第 51 卷,第 1059-1063 页 2010
镍掺杂镁橄榄石纳米晶的熔盐合成及表征 H T Sun、M Fujii、NITTA、Noriko、M Mizuhata、H Yasuda、S Deki、S Hayashi 美国陶瓷学会杂志,第 92 卷,第 4 期,第 962-966 页 2009
透射电子显微镜 (TEM) 的基本原理和使用原位观察方法对纳米颗粒进行奇点分析 安田秀宏、今村雅之、新田纪子、森广太郎 纳米协会公报,第 8 卷,第 1 期,第 1-8 页 2009
Er3+和Ni2+掺杂单晶Al18B4O33纳米棒的一步合成及其近红外发光性能 孙洪涛、岛冈文明、藤井稔、新田纪子、水畑稔、安田英弘、Deki茂仁、林真司 纳米技术,第 20 卷,第 035604 页 2009
硅酸铒纳米结构的受控合成及其发光性能 孙洪涛、藤井稔、新田纪子、岛冈文明、水畑稔、林真司、安田秀宏、Deki 重仁 纳米科学与纳米技术杂志,第 9 卷,第 11 期,第 6277-6282 页 2009
利用离子束引起的点缺陷的自组织行为在半导体上制造纳米电池 新田纪子、森田沙代、谷胁正文 表面和涂层技术,第 203 卷,第 17-18 期,第 2463-2467 页 2009
GaSb纳米粒子低能电子激发诱导相分离的过程 H 安田、A 田中、N 新田、K 松本、H 森 物理学杂志:会议系列,第 100 卷,第 052081 页 2008
通过电子激发诱导空位簇形成多孔GaSb化合物纳米粒子 H安田、A 田中、K 松本、N 新田、H 森 物理评论快报,第 100 卷,第 10 期,第 105506 页 2008
离子辐照下GaSb和InSb中空穴形成的表面下沉效应 Noriko Nitta、Yukari Ohoka、Koichi Sato、Qiu Xu、Yoshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie、Masafumi Taniwaki 《材料交易》,第 49 卷,第 7 期,第 1546-1549 页 2008
硅酸镱纳米结构的大规模可控合成与表征 孙洪涛、藤井稔、新田纪子、岛冈文明、水畑稔、安田秀宏、Deki 茂仁、林真司 美国陶瓷学会杂志,第 91 卷,第 12 期,第 4158-4161 页 2008
低温锡辐照 GaSb 中空洞膨胀的动力学蒙特卡罗模拟 T。 Yoshiie、N Nitta、M Taniwaki 物理研究中的核仪器和方法 B 部分:束流与材料和原子的相互作用,第 255 卷,第 1 期,第 120-123 页 2007
通过透射电子显微镜分析晶圆键合的 Ge/Si 异质结 Hiroshi Kanbe、Masayuki Miyaji、Mami Hirose、Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki 《应用物理快报》,第 91 卷,第 14 期,第 142119 页 2007
利用离子注入引起的点缺陷进行纳米制造 新田纪子、谷胁正文 表面和涂层技术,第 201 卷,第 19-20 期,第 8521-8525 页 2007
利用离子辐照引起的点缺陷的自组织行为开发纳米制造技术 新田纪子、谷胁雅文 物理学 B,第 376-377 卷,第 872-876 页 2006
离子注入引起的点缺陷形成的细胞结构 Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Yshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie 物理学 B,第 376-377 卷,第 881-885 页 2006
利用离子束的新型纳米制造技术 新田纪子、谷胁雅文 物理研究中的核仪器和方法 B 部分:束流与材料和原子的相互作用,第 206 卷,第 482-485 页 2003
低温Sn离子注入在GaSb表面形成异常缺陷结构 Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Tomoo Suzuki、Yoshihiko Hayashi、Yuhki Satoh、Toshimasa Yoshiie 《材料交易》,第 43 卷,第 4 期,第 674-680 页 2002
低温离子注入GaSb上胞状缺陷结构的形成 Noriko Nitta、Masafumi Taniwaki、Yoshihiko Hayashi、Toshimasa Yoshiie 应用物理学杂志,第 92 卷,第 4 期,第 1799-1802 页 2002

水平滑动即可查看表格的其余部分。

学术演讲、讲座等

  1. 使用骨架图对半导体微结构进行形态分析,ICCV2025 研讨会,材料科学计算机视觉 (CV4MS),在线演示 (2025)
  2. 使用生长神经气体对半导体微结构进行形态分析,日本人工智能学会全国会议(第39届)(2025年)
  3. 利用机器学习进行离子束照射对 SiC 波纹结构的形态分析,日本金属学会春季会议(第 176 届)(2025 年)
  4. 使用电子显微镜图像中半导体微结构的椭圆傅里叶分析和 Procrustes 分析进行形状分析,SSII2024(第 30 届图像传感研讨会)(2024 年)
  5. 30 个可用于研究的应用,JST 下一代研究人员挑战研究计划校园活动(2023 年)
  6. 高速C60富勒烯离子束对GaSb的照射效果,日本金属学会第160届春季会议(2017年)
  7. 高纵横比InSb有序结构的制造,日本金属学会第156届春季会议(2015年)
  8. 离子束照射的微型化在锗表面诱导周期性纳米结构,MRS 秋季会议和展览 (2014)
  9. 离子束照射细化锗表面周期结构的研究,日本金属学会第155届秋季会议(2014年)
  10. 离子束辐照对半导体材料的影响及其应用的阐明,第33届纳米测试研讨会(2013)
  11. 通过离子束照射控制半导体多孔结构的尺寸,日本金属学会第 153 届秋季会议(2013 年)
  12. 离子照射引起的化合物半导体多孔结构的加速电压依赖性,日本金属学会第152届春季会议(2013年)
  13. GaSb 中低能电子辐照诱导纳米晶体的温度依赖性,第 25 届国际固体原子碰撞会议 (ICACS25) (2012)
  14. 低能电子辐照纳米晶体形成的辐照温度依赖性,日本金属学会第 151 届秋季会议(2012 年)
  15. 化合物半导体中通过电子激发效应形成异质晶体,日本金属学会第 150 届春季会议(2012 年)
  16. 低能电子辐照引起的InSb结构变化,日本金属学会第148届秋季会议(2011年)
  17. 电子辐照导致的 GaSb 和 InSb 的结构变化,日本金属学会第 147 届秋季会议(2010 年)
  18. III-V族化合物半导体GaSb中电子激发效应引起的结构变化,日本金属学会第146届春季会议(2010年)
  19. 离子辐照引起的 III-V 族化合物半导体 InSb 的结构变化,日本金属学会第 145 届秋季会议(2009 年)
  20. 重离子辐照引起的 InSb 结构变化,日本显微镜学会第 65 届年会(2009 年)
  21. GaSb、InSb 中离子辐照形成空隙,日本金属学会第 144 届春季会议(2009 年)
  22. GaSb 薄膜中电子和离子辐照引起的二次缺陷,第九届亚太显微镜会议 (APMC9) (2008)
  23. 通过离子照射在InSb薄膜中形成的缺陷结构,日本金属学会第143届春季会议(2008年)
  24. 电子束辐照对GaSb、InSb的影响,第63届日本物理学会年会(2008年)
  25. GaSb 和 InSb 中离子照射和电子照射引起的缺陷结构比较,日本金属学会第 142 届春季会议(2008 年)
  26. Ge、GaSb 和 InSb 薄膜离子辐照产生的缺陷,日本金属学会第 141 届秋季会议(2007 年)
  27. 通过 FIB 对 GaSb 表面进行规则结构控制 - 加速电压依赖性 -,日本金属学会第 140 届春季会议(2007 年)
  28. 离子注入氧化锌表面缺陷结构的TEM分析,日本金属学会第138届秋季会议(2006年)
  29. 通过离子注入在 GaSb 表面形成细胞结构,第 16 届国际显微镜大会 (IMC16) (2006)
  30. 离子注入诱导点缺陷形成的细胞结构,第 23 届国际半导体缺陷会议 (ICDS-23) (2005)
  31. 通过离子注入在半导体上自组织形成细胞结构,第十五届国际非弹性离子表面碰撞研讨会 (IISC-15) (2004)
  32. 通过温控离子照射形成表面细胞结构的自组织形成,日本金属学会第 135 届秋季会议(2004 年)
  33. 通过离子辐照在半导体表面上自组织形成精细细胞结构 - 寻找新系统,日本金属学会第 134 届春季会议(2004 年)
  34. 热处理引起的离子注入GaSb表面微缺陷的结构变化,日本金属学会第132届春季会议(2003年)
  35. 通过离子注入在化合物半导体GaSb表面形成的缺陷的衬底温度依赖性,日本金属学会第131届秋季会议(2002年)
  36. 离子注入 GaSb 中异常缺陷结构的 TEM 分析,材料离子束改性国际会议 (IBMM2002) (2002)
  37. 低温离子注入 GaSb 上细胞缺陷结构的形成,国际晶体生长会议 (ICCG-13) (2001)
  38. Sn⁺离子注入的GaSb表面缺陷结构的衬底温度依赖性,第48届日本应用物理学会会议(2001年)
  39. 通过离子注入在GaSb和InSb表面形成独特的缺陷结构,日本金属学会第127届秋季会议(2000年)
  40. Sn⁺离子注入GaSb表面缺陷结构形成的初始过程,日本应用物理学会第61届日本应用物理学会年会(2000年)
  41. GaSb-60 keV Sn⁺ 表面缺陷的 TEM 分析,第 47 届日本应用物理学会会议(2000 年)
  42. 锡离子注入形成的缺陷的 TEM 分析,日本金属学会第 125 届秋季会议(1999 年)

主要专利

  1. 微细图案的形成方法及半导体装置的制造方法(专利第4037213号)
  2. 微细图案的形成方法及半导体装置的制造方法(专利第4608607号)

科研经费

KAKEN 是由国家信息研究所提供的一项服务。

分类 研究主题 研究类别 研究期 作业编号
代表 通过低能电子辐照形成半导体纳米晶体 年轻研究员(B) 2012 - 2014 24760539
分享 以金红石型复合氧化物为原料的新一代蓄电池负极材料的创建及应用 基础研究(B) 2023 - 2026 年(计划) 23H02065

水平滑动即可查看表格的其余部分。

有竞争力的资金等

研究主题 公司名称等 研究期 收货人 讲师
下一代研究人员培训计划,实现创新的未来 下一代研究人员培训计划,实现创新的未来 2021~ 日本科学技术振兴机构 (JST) 新田纪子
阐明极小区域内离子束辐照引起的晶格缺陷的扩散行为 住友财团公益财团法人 2023 年基础科学研究补助金 2023/11~2024/11/30 住友财团公益财团法人 新田纪子

水平滑动即可查看表格的其余部分。

社会贡献及公关活动

外部委员会成员、学术活动等

  1. 日本材料学会JKMST2023地方执行委员会(2023年)
  2. 日本金属学会中国四国分会分会区代表(2019~)
  3. 日本材料学会四国分会监事(2015年-)
  4. 日本金属学会中国四国分会,分会秘书(2015-2018)
  5. 文部科学省科技政策研究所科技趋势研究中心专家研究员(2014-2019)
  6. 日本金属学会中国四国分会分会区代表(2013-2017)

参与当地活动的委员会等

  1. 高知市污染控制委员会成员(2024-2026)
  2. 高知县地方产业奖专家委员会(2022-2025)
  3. 高知县教科书评选委员会委员(2014-2017)
  4. 高知东部技术高中开放学校委员会(2011-2018)

其他社交活动等

  1. 迷你讲座“让我们看看纳米和微米的世界”,片地小学大学访问(一年级和二年级)(2025年)
  2. 用电子显微镜看微纳世界,南国市国风小学蓝鸟访问教育在线(2025)
  3. 用电子显微镜看微纳世界,土佐市北原小学蓝鸟访问教育在线(2025)
  4. 迷你讲座“让我们看看纳米和微米的世界”和电子显微镜之旅,参观片地小学和大学(五年级和六年级)(2025年)
  5. 迷你讲座“让我们看看纳米和微米的世界”和电子显微镜之旅,参观片地小学和大学(三年级和四年级)(2025年)
  6. 用电子显微镜看纳米微观世界,土佐女子初高中就业说明会(2025年)
  7. 通过电子显微镜窥探纳米微观世界,冈山县立玉岛高中在线课程(2025)
  8. 让我们看看纳米和微米的世界,片地小学开放学校(2024)
  9. 通过电子显微镜窥探纳米/微米世界,土佐塾高中/大学合作 (2024)
  10. 让我们一睹纳米和微米的世界,塔诺小学蓝鸟访问教育在线(2024)
  11. 迷你讲座“什么是人工智能?”和使用Scratch编程的经验,片地小学大学访问(2024年)
  12. 通过电子显微镜看到的微纳米世界,土佐宿高中高中合作课程(2023年)
  13. 与高知县立山田高中全球探索部的联合研究(2023)
  14. 让我们一睹纳米和微米的世界,高知县立冈丰田高中蓝鸟在线参观教育(2022)
  15. 与高知县立山田高中全球探索部的联合研究(2020-2021)

一般讲座等

  1. “让我们用电子显微镜一睹纳米世界”,高知县立高冈高中青鸟参观教育(2019)
  2. “用电子显微镜窥探纳米微观世界”,XK星空夜来暑期学校(2019)
  3. “使用深度学习的手写字符识别”,高中和大学合作课程,土佐宿高中(2019)
  4. “让我们用电子显微镜一睹纳米世界”,高知县立洼川高中青鸟参观教育(2018)
  5. “纳米世界”,高知县立高知西高中蓝鸟参观教育(2017)
  6. “使用电子显微镜了解晶体结构 - 通过分析电子衍射图案推导晶格常数”,高中和大学合作讲座,土佐宿高中(2017)
  7. “纳米世界”,高知县立高冈高中蓝鸟参观教育(2016)
  8. 用电子显微镜一睹纳米世界,高知县产学官民间合作中心COCOPL第17届种子及研究内容介绍(2016年)
  9. “纳米世界”,四万十市固岛小学蓝鸟参观教育(2016)
  10. 职业挑战日XK星空展位,香美市教育委员会(2015 年)
  11. “用电子显微镜一睹纳米世界”,香美市片地小学参观与教育(2015年)
  12. “纳米世界”,高知县宿毛工业高中蓝鸟参观教育(2014年)
  13. 有趣的科学课“纳米的世界-让我们用电子显微镜观察纳米的世界”,井野町小学四年级至六年级(2013年)
  14. “纳米世界 - 介绍通过电子显微镜看到的纳米世界”,高知县工业教育研究会工业部门(2013年)
  15. “纳米世界”,高知县立西高中蓝鸟访问教育(2012)
  16. “纳米世界”,高知县立西高中蓝鸟访问教育(2011)

水平滑动即可查看表格的其余部分。