教职人员

语言 ≫ 日语

教授
牧野久雄

日本筑波大学工程博士，1998 年

出生年份：1970年
性别：男
职位名称：

- 系统工程学院副院长
- 电子和光子系统工程课程主管
隶属关系：

- 系统工程学院
- 工程研究生院工程系电子与光子系统工程课程
- 先进功能材料与器件研究室，纳米技术中心，研究院
文章来自《前沿研究与社会贡献》：
https://wwwkochi-techacjp/english/power/research/foundation_technology_towards_next- Generation_ electronicshtml

专业领域	固态物理半导体物理学薄膜技术
实验室/研究办公室	功能薄膜实验室需要开发具有新功能的材料以及传统电子设备技术的创新，以解决环境和能源问题并建设可持续发展的社会。氧化物半导体被期望作为下一代的各种电子材料，也被视为新的功能材料，因为其物理性质已被表明，在本实验室中，我们正在控制氧化物薄膜的物理性质，并旨在提高功能并创建新的功能器件。
当前研究主题	ZnO 薄膜的原子层沉积
教育背景	1998：日本筑波大学博士 1993：日本筑波大学学士
专业背景	2018-：教授，系统工程。XK星空 2018-：XK星空研究所教授 2014-2018：副教授，系统工程。XK星空 2007-2018：XK星空研究所副教授 2005-2007：XK星空研究所助理教授 2002-2003：巴斯大学客座研究员 1999-2000：新南威尔士大学客座研究员 1998-2005：东北大学材料研究所，研究员
许可证
学术团体	日本应用物理学会日本物理学会日本同步辐射线研究会

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课程

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本科学校	半导体物理基础半导体器件原理系统工程实验毕业论文电子电路基础知识电子和光子实验2 工程概要
研究生院	高级研讨会 1 高级研讨会 2 研讨会 1 研讨会 2 毕业生个人作品高级半导体物理

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研究活动

研究论文	作者：J Nomoto、T Koida、I Yamaguchi、H Makino、Y Kitanaka、T Nakajima、T Tsuchiya 标题：通过准分子激光固相结晶实现柔性透明导电 In2O3 薄膜超过 130 cm2/Vs 的霍尔迁移率期刊：NPG 亚洲材料，卷。 14，p。 76、施普林格自然年份：2022 年作者：C Barone、J Gupta、R M Martin、I Sydoryk、V Craciun、J Nomoto、H Makino、T Yamamoto、C Martin 标题：伽马射线照射下掺镓氧化锌薄膜光学和电子性能的鲁棒稳定性期刊：物理学。 Status Solidi B-Basic Res，第 2100469-1-2100469-5 页，WILEY 年份：2021 作者：Velichko Rostislav、MAGARI Yusaku、Hisao Makino、Mamoru Furuta 标题：添加适量氢气对直流磁控溅射沉积氧化锡薄膜性能影响的研究期刊：日本应用物理学杂志，卷。 60，第 055503-1-055503-6 年份：2021 作者：Dao Thi Hoa、Hisao Makino 标题：衬底温度对 AlOx 覆盖的 Al 掺杂 ZnO 薄膜热稳定性的影响期刊：国际陶瓷、爱思唯尔年份：2020 年作者：Dao Thi Hoa、Hisao Makino 标题：以超薄Al薄膜作为钝化层提高Al掺杂ZnO多晶薄膜的电导率及其热稳定性期刊：太阳能材料和太阳能电池，卷。 203，p。 110159，爱思唯尔年份：2019 作者：Dao Thi Hoa、Hisao Makino 标题：Ar等离子体增强多晶ZnO薄膜的光电性能期刊：半导体加工中的材料科学，卷。 96，第 46-52 页，爱思唯尔年份：2019 年作者：J Nomoto、H Makino、K Inaba、S Kobayashi、T Yamamoto 标题：磁控溅射靶材侵蚀区对透明导电Al掺杂ZnO结构和电学性能空间分布的影响期刊：应用物理学杂志，卷。 124，第 065304-1-065304-10 页，AIP 出版年份：2018 作者：H Song、H Makino、J Nomoto、N Yamamoto、T Yamamoto 标题：通过铟共掺杂提高 Ga 掺杂 ZnO 薄膜的湿度稳定性期刊：应用表面科学，卷。 457，第 241-246 页，爱思唯尔年份：2018 作者：牧野久雄、清水宏之标题：晶体极性对磁控溅射沉积的多晶 ZnO 薄膜光电特性的影响期刊：应用表面科学，爱思唯尔年份：2018 作者：H Song、H Makino、M Kobata、J Nomoto、K Kobayashi、T Yamamoto 标题：载流子浓度对硬 X 射线光电子能谱测定 Ga 掺杂 ZnO 薄膜极性的影响期刊：应用表面科学，卷。 433，第 1148-1153 页，爱思唯尔年份：2017 年作者：野本淳一、稻叶克彦、小林慎太郎、渡边武、牧野久男、山本哲也标题：透明导电Al掺杂ZnO的载流子传输和晶体取向分布特征期刊：材料，卷。 10，第 8 期，第 10 页。第916章年份：2017 年作者：曲优作、牧野久雄、古田守标题：Ar 和 He 等离子体处理的 In-Ga-Zn-O 薄膜中的载流子生成机制和亚带隙态的起源期刊：ECS 固体科学与技术杂志，卷。 6，第 8 期，第 Q101-Q107 页年份：2017 年作者：Lukman Nulhakim、H Makino、S Kishimoro、J Nomoto、T Yamamoto 标题：通过高掺杂 Ga 的 ZnO 多晶薄膜中 c 轴择优取向的大分布来增强氢气敏感性期刊：半导体加工中的材料科学，卷。 68，第 322-326 页，爱思唯尔年份：2017 作者：野本淳一、稻叶克彦、小林慎太郎、牧野久雄、山本哲也标题：定制玻璃基板上掺铝 ZnO 多晶薄膜的纹理和表面形貌的界面层期刊：晶体生长杂志，卷。 468，第 645-649 页，爱思唯尔年份：2017 作者：C Martin, KH米勒、H Makino、D Craciun、D Simeone、V Craciun 标题：Ar离子辐照纳米晶ZrC和ZrN薄膜的光学性质期刊：核材料杂志，卷。 488，第 16-21 页年份：2017 作者：V Craciun、D Craciun、G Socol、S Behdad、B Boesl、C Himcinschi、H Makino、M Socol、D Simeone 标题：Ar离子辐照对纳米晶SiC薄膜的影响研究期刊：应用表面科学，卷。 374，第 339-345 页，爱思唯尔年份：2016 作者：野本淳一、牧野久男、山本哲也标题：高霍尔迁移率掺铝 ZnO 薄膜，具有纹理多晶结构和明确的 (0001) 取向期刊：纳米研究快报，卷。 11，第 320-1-320-8 页，施普林格公开赛年份：2016 作者：野本淳一、稻叶胜彦、大田稔、小林慎太郎、牧野久雄、山本哲也标题：非晶玻璃基板上高度(0001)取向Al掺杂ZnO多晶薄膜期刊：应用物理学杂志，卷。 120，第 125302-1-125302-11 页，AIP 出版年份：2016 作者：Lukman Nulhakim、MAKINO Hisao 标题：自缓冲层控制微结构及其对射频磁控溅射沉积的Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响期刊：固体薄膜，卷。 615，第 158-164 页，爱思唯尔年份：2016 作者：Lukman Nulhakim、MAKINO Hisao 标题：极性反转对 Ga 掺杂 ZnO 薄膜电性能的影响期刊：物理状态固体 - 快速研究快报，卷。 10，第 7 期，第 535-539 页，Wiley 年份：2016 年作者：Lukman Nulhakim、MAKINO Hisao 标题：射频磁控溅射沉积的Ga掺杂ZnO薄膜散射机制的变化和缺陷退火期刊：应用物理学杂志，卷。 119，p。 235302 年份：2016 作者：野本淳一、牧野久男、山本哲也标题：多晶透明导电Al掺杂ZnO薄膜的载流子传输与取向演化之间的相关性期刊：固体薄膜，卷。 620，第 2-9 页，爱思唯尔年份：2016 年作者：野本淳一、牧野久雄、山本哲也标题：直流电弧放电离子镀沉积多晶Ga掺杂ZnO薄膜的载流子浓度和输运限制因素期刊：固体薄膜，卷。 601，第 13-17 页，爱思唯尔年份：2016 年作者：Tomoaki Terasako、NOMOTO Junichi、MAKINO Hisao、Naoki Yamamoto、Sho Shirakata、YAMAMOTO Tetsuya 标题：氧气流量和Ga含量对直流电弧放电离子镀制备Ga掺杂ZnO薄膜结构性能的影响期刊：固体薄膜，卷。 596，第 24-28 页，爱思唯尔年份：2015 年作者：野本淳一、牧野久男、山本哲也标题：射频、直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的高透明导电铝掺杂 ZnO 多晶薄膜的载流子迁移率：晶界效应和晶粒体中的散射期刊：应用物理学杂志，卷。 117，第 045304-1-045304-9 页，AIP 出版年份：2015 年作者：S Kishimoto、S Akamatsu、宋华平、NOMOTO Junichi、MAKINO Hisao、YAMAMOTO Tetsuya 标题：掺镓的一氧化碳气体传感特性期刊：J Sens Sens Syst，卷。 3，第 331-334 页年份：2014 年作者：宋华平、野本淳一、牧野久男、山本哲也标题：采用直流电弧放电离子镀法制备的具有纹理表面的高防潮掺镓 ZnO 薄膜，用于具有共掺杂铟的薄膜太阳能电池期刊：日本。 J应用程序。物理，卷。 53，第 05FJ04-1-05FJ04-5 年份：2014 年作者：牧野久雄、宋华平、山本哲也标题：氧气流量对玻璃和蓝宝石基板上沉积的 Ga 掺杂 ZnO 薄膜电性能的影响期刊：固体薄膜，卷。 559，第 78-82 页，爱思唯尔年份：2014 年作者：T Terasako、Y Ogura、S Fujimoto、宋华平、MAKINO Hisao、M Yagi、S Shirakata、YAMAMOTO Tetsuya 标题：通过离子镀和常压 CVD 生长的 Ga 掺杂 ZnO 薄膜的载流子传输和光致发光特性期刊：固体薄膜，卷。 549，第 12-17 页，爱思唯尔年份：2013 作者：T Terasako、宋华平、MAKINO Hisao、S Shirakata、YAMAMOTO Tetsuya 标题：直流电弧放电离子镀沉积的 Ga 掺杂 ZnO 薄膜电性能的温度依赖性期刊：固体薄膜，卷。 528，第 19-25 页，爱思唯尔年份：2013 年作者：山本直树、牧野久夫、大曾根聪、氏原晃、伊藤贵宏、HOKARI Hitoshi、MARUYAMA Taketo、YAMAMOTO Tetsuya 标题：用于液晶显示面板的Ga掺杂ZnO透明电极的开发期刊：固体薄膜，卷。 520，第 4131-4138 页年份：2012 年作者：山本直树、牧野久男、森泽桐彦、山本哲也标题：用于 LCD 的 ZnO 基透明电极期刊：ECS 交易，卷。 41，第30期，第29-35页年份：2012 年作者：山本直树、牧野久男、山本哲也标题：ZnO导电透明超薄膜的杨氏模量和线性热膨胀系数期刊：材料科学与工程进展，卷。 2011 年份：2011 作者：山本直树、牧野久男、佐藤泰、山本哲也标题：开发掺镓 ZnO 透明电极作为液晶显示器中 ITO 电极的替代品期刊：SID 2011 年技术论文摘要，第 1375-1378 页年份：2011 作者：YAMAMOTO Naoki、Makino Hisao、Osone Satoshi、Ujihara Akira、Ito Takahiro、Hokari Hitoshi、Maruyama Taketo、Yamamoto Tetsuya 标题：用于液晶显示面板的Ga掺杂ZnO透明电极的开发期刊：固体薄膜年份：2011 作者：山本直树、牧野久男、佐藤泰、山本哲也标题：通过湿法化学蚀刻控制 ZnO 精细图案透明电极的形成期刊：ECS 交易，卷。 35，第 8 期，第 165-172 页年份：2011 作者：H Makino、T Yamada、N Yamamoto、T Yamamoto 标题：O2 流量和沉积后热退火对 Ga 掺杂 ZnO 薄膜光吸收光谱的影响期刊：固体薄膜，卷。 519，第 5 期，第 1521-1524 页年份：2010 作者：山本直树、山田贵宏、牧野久雄、山本哲也标题：用作液晶显示器透明电极的掺镓 ZnO 薄膜的耐热性期刊：J Electrochem。社会学会，卷。 157，第 J13-J20 页年份：2010 作者：T 山田、H 牧野、N 山本、T 山本标题：晶粒和晶界散射对透明导电多晶 Ga 掺杂 ZnO 薄膜电子迁移率的影响期刊：JAppl。物理，卷。 107，p。 123534 年份：2010 作者：H Makino、N Yamamoto、A Miyake、T Yamada、Y Hirashima、H Iwaoka、T Itoh、H Hokari、H Aoki、T Yamamoto 标题：热退火对 Ga 掺杂 ZnO 薄膜电学和光学性能的影响期刊：固体薄膜，卷。 518，第 5 期，第 1386-1389 页年份：2009 作者：H Makino、S Kishimoto、A Miyake、T Yamada、N Yamamoto、T Yamamoto 标题：基板温度和 Zn 前体对玻璃上多晶 ZnO 薄膜原子层沉积的影响，H Makino、A Miyake、T Yamada、N Yamamoto、T Yamamoto，期刊：固体薄膜，卷。 517，p。第3138章年份：2009 年作者：H Makino、S Kishimoto、A Miyake、T Yamada、N Yamamoto、T Yamamoto 标题：表面预处理对玻璃基板上ZnO生长的影响期刊：物理学。统计。溶胶。 (a)，卷。 205，第 8 期，第 1971-1974 年年份：2008 作者：Tetsuya Yamamoto、Takahiro Yamada、Aki Miyake、Toshiyuki Morizane、Tooru Arimitsu、Hisao Makino、Naoki Yamamoto 标题：玻璃、PMMA 和 COP 基板上透明导电 Ga 掺杂 ZnO 薄膜的特性期刊：特邀论文，IEICE TRANSACTIONS on Electronics，卷。 E91-C，第 10 期，第 1547-1553 页年份：2008 作者：山本直树、山田贵宏、三宅亚纪、牧野久雄、岸本精一、山本哲也标题：Ga掺杂ZnO薄膜中残余应力与晶体结构的关系期刊：J Electrochem。社会学会，卷。 155，第 9 期，第 J221-J225 页年份：2008 作者：T Yamada、A Miyake、S Kishimoto、H Makino、N Yamamoto、T Yamamoto 标题：直流电弧放电离子镀制备厚度小于100 nm的低电阻率Ga掺杂ZnO薄膜期刊：应用。物理。快报，卷。 91，p。 051915 年份：2007 年作者：岸本诚一、山田贵宏、池田圭吾、牧野久男、山本哲也标题：氧分压对100nm以下无掺杂ZnO薄膜薄膜生长及电性能的影响期刊：表面与涂层技术，卷。 201，第 4000-4003 页年份：2006 年作者：H Makino、T Goto、T Yao、G A Mousdis、G C Papavassiliou 标题：二维半导体(CH3C6H4CH2NH3)2PbBr4单晶中双激子的诱导吸收和自发发射期刊：J Lumines，卷。 112，第 54-57 号年份：2005 年作者：Hisao Makino、J J Kim、P P Chen、M W Cho、Takafumi Yao 标题：用 III-V 族氮化物半导体制造铁磁半导体期刊：Proc。国际光学工程学会苏克。选择。工程，卷。 5774，p。 11 年份：2004 年作者：J J Kim、H Makino、K Kobayashi、Y Takata、T Yamamoto、T Hanada、M W Cho、E Ikenaga、M Yabashi、D Miwa、Y Nishino、K Tamasaku、T Ishikawa、S Shin、T Yao 标题：宽带隙稀磁半导体 Ga1-xCrxN 中 Cr 3d-N 2p-Ga 4s 的杂化期刊：物理学。修订版 B，卷。 70，p。 161315(R) 年份：2004 年作者：N Taghavinia、H Makino、T Yao 标题：ZnS:Mn 多量子阱结构中 Mn 发光的增强期刊：Appl。物理。快报，卷。 83，p。第4616章年份：2003 年作者：K Godo、H Makino、M W Cho、J H Chang、Y Yamazaki、T Yao、M Y Shen、T Goto 标题：与 GaAs 几乎晶格匹配的 Zn1-x-yMgxBeySe 四元合金能隙的成分依赖性期刊：应用。物理。快报，卷。 79，第 4168-4170 页年份：2001 作者：H Makino、H Sasaki、JH张涛·姚标题：分子束外延生长的 Zn1-x-yMgxSe1-yTey 四元合金的拉曼研究期刊：J Cryst。成长，卷。 214/215，第 359-363 页年份：2000 年作者：H Makino、I H Inoue、M J Rozenberg、I Hase、Y Aiura、S Onari 标题：钙钛矿型 3d1 相关金属 Ca1-xSrxVO3 中的带宽控制。二光谱法期刊：物理学。修订版 B，卷。 58，第 4384-4393 页年份：1998
特邀讲座	多晶 ZnO 薄膜的实验室硬 X 射线光电子能谱，第 13 届韩国表面分析研讨会，韩国首尔韩国酒店，2018 年
日本政府的科学研究补助金	项目名称：多晶氧化锌薄膜的晶体取向和受主掺杂特性的控制类别：科学研究补助金 (C) 项目编号：23560026 项目期限：2011-2013年总预算金额：5,330,000 日元关键字：项目名称：低温生长多晶氧化锌薄膜的极性控制和点缺陷类别：科学研究补助金 (C) 项目编号：17K06356 项目期限：2017-2019 预算总额：4,810,000日元关键字：项目名称：化学传感器用多晶ZnO薄膜中的缺陷控制类别：科学研究补助金 (C) 项目编号：20K04582 项目周期：2020-2022 预算总额：4,420,000日元关键字：项目名称：压电极化电位调制对氧化锌掺杂性能的影响类别：科学研究补助金 (C) 项目编号：24K07579 项目期限：2024-2026 总预算金额：4,550,000日元关键字：

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