| 研究论文 |
- 作者：Hikaru Sadahira、Prashant R Ghediya、Hyeonjun Kong、Akira Miura、Yasutaka Matsuo、Hiromichi Ohta、Yusaku Magari
标题：氢氧化铟陶瓷靶材：高迁移率薄膜晶体管技术的突破
期刊：ACS 应用电子材料，卷。 7，第 15 期，第 6952-6959 页
年份：2025
- 作者：吴宇章、Prashant R Ghediya、张宇桥、松尾泰隆、太田弘道、Magari Yusaku
标题：掺锌 In2O3 薄膜晶体管有效沟道厚度的热功率调制分析
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 63，第 126501 号，第 1-5 页
年份：2024 年
- 作者：Naoki Okamoto、Xiaoqian Wang、Kotaro Morita、Yuto Kato、Alom Mir Mutakabbir、Yusaku Magari、Mamoru Furuta
标题：固相结晶形成的增强型多晶氧化铟薄膜晶体管的均匀性和可靠性
期刊：IEEE 电子设备通讯，卷。 45，第 12 期，第 2403-2406 页
年份：2024
- 作者：Prashant R Ghediya、Yusaku Magari、Hikaru Sadahira、Takashi Endo、Mamoru Furuta、Yuqiao Zhu、Yasutaka Matsuo、Hiromichi Ohta
标题：高迁移率氧化铟薄膜晶体管的可靠运行
期刊：小方法，卷。 9，第 1 期，第 1-8 页
年份：2025 年
- 作者：Yuzhang Wu、Yusaku Magari、Prashant Ghediya、Yuqiao Zhu、Yasutaka Matsuo、Hiromichi Ohta
标题：高迁移率、高可靠性掺锌非晶In2O3基薄膜晶体管
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 63，第 076504 号，第 1-6 页
年份：2024 年
- 作者：卞志平、Mitsuki Yoshimura、Ahrong Jeong、Haobo Li、Takashi Endo、Yasutaka Matsuo、Yusaku Magari、Hidekazu Tanaka、Hiromichi Ohta
标题：具有大热导开关宽度的固态电化学热开关
期刊：《先进科学》，卷。 11，第 2401331 号，第 1-6 页
年份：2024 年
- 作者：王小倩、曲优作、古田守
标题：氢掺杂氧化铟低温快速固相结晶中的成核和晶粒生长
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 63，第 03SP38 号，第 1-7 页
年份：2024 年
- 作者：Prashant Ghediya、Hui Yang、Takashi Fujimoto、Yuqiao Zhu、Yasutaka Matsuo、Yusaku Magari、Hiromichi Ohta
标题：改善富锌 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的电子传输性能
期刊：物理化学杂志 C，卷。 127，第 5 期，第 2622-2627 页
年份：2023 年
- 作者：杨辉、张玉桥、松尾康隆、曲游佑作、太田弘道
标题：高迁移率透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管的热功率调制分析
期刊：ACS 应用电子材料，卷。 4，第 10 期，第 5081-5086 页
年份：2022 年
- 作者：Yusaku Magari、Wenchang Yeh、Toshiaki Ina、Mamoru Furuta
标题：晶界散射对固相结晶氢化多晶In2O3 (In2O3:H)场效应迁移率的影响
期刊：纳米材料，卷。 12，第 2958 号，第 1-10 页
年份：2022 年
- 作者：Wenchang Yeh、Kaisei Ohtoge、Yusaku Magari
标题：全溅射工艺制造的底栅单晶硅薄膜晶体管
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 61，第 086501 号，第 1-6 页
年份：2022 年
- 作者：Yusaku Magari、Taiki Kataoka、Wenchang Yeh、Mamoru Furuta
标题：高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管
期刊：《自然通讯》，卷。 13，第 1078 期，第 1-8 页
年份：2022 年
- 作者：Rostislav Velichko、Yusaku Magari、Mamoru Furuta
标题：用于柔性器件应用的低温退火后掺氢 In-Ga-Zn-O (IGZO:H) 薄膜中的缺陷钝化和载流子减少机制
期刊：材料，卷。 15，第 334 期，第 1-14 页
年份：2022 年
- 作者：Taiki Kataoka、Yusaku Magari、Hisao Makino、Mamoru Furuta
标题：用于薄膜晶体管的低温固相结晶形成的非简并多晶掺氢氧化铟 (InOx:H) 薄膜
期刊：材料，卷。 15，第 187 期，第 1-11 页
年份：2021
- 作者：Rostislav Velichko、Yusaku Magari、Hisao Makino、Mamoru Furuta
标题：添加适量氢气对直流磁控溅射沉积氧化锡薄膜性能影响的研究
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 60，第 055503 号，第 1-6 页
年份：2021
- 作者：Shuya Kono、Yusaku Magari、Marin Mori、S G Mehadi Aman、Norbert Fruehauf、Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta
标题：用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 60，第 SBBM05，第 1-6 页
年份：2021
- 作者：曲优作、古田守
标题：In-Ga-Zn-O 溅射过程中引入水和氢对低温加工薄膜晶体管性能的影响
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 60，第 SBBM04，第 1-5 页
年份：2021
- 作者：Yusaku Magari、S G Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Kentaro Masuda、Kenta Shimpo、Hisao Makino、Mutsumi Kimura、Mamoru Furuta
标题：创纪录的高性能氢化 In-Ga-Zn-O 柔性肖特基二极管
期刊：ACS 应用材料与界面，卷。 12，第 42 期，第 47739-47746 页
年份：2020
- 作者：Daichi Koretomo、Shuhei Hamada、Marin Mori、Yusaku Magari、Mamoru Furuta
标题：通过应用氢化IGZO作为沟道材料，150℃处理的IGZO薄膜晶体管的可靠性显着提高
期刊：应用物理快报，卷。 13，第 076501 号，第 1-4 页
年份：2020
- 作者：曲优作、牧野久夫、桥本信介、古田守
标题：In-Ga-Zn-O 肖特基二极管氧化银功函数工程的起源
期刊：应用表面科学，卷。 512，第 144519 号，第 1-8 页
年份：2020
- 作者：Daichi Koretomo、Shuhei Hamada、Yusaku Magari、Mamoru Furuta
标题：薄膜晶体管非晶 In-Ga-Zn-O 异质结通道中的量子限制效应
期刊：材料，卷。 13，第 8 期，第 1-12 页
年份：2020
- 作者：Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Kentaro Masuda、Kenta Shimpo、Mamoru Furuta
标题：具有氢化 In-Ga-Zn-O 堆叠沟道的低温 (150 °C) 处理金属半导体场效应晶体管
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 59，第 SGGJ04，第 1-5 页
年份：2020
- 作者：Ayata Kurasaki、Ryo Tanaka、Sumio Sugisaki、Tokiyoshi Matsuda、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、Mamoru Furuta、Mutsumi Kimura
标题：不同氧密度双层非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性
期刊：材料，卷。 12，第 3236 期，第 1-8 页
年份：2019
- 作者：Mamoru Furuta、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Ryunosuke Higashi、Shuhei Hamada
标题：异质结沟道工程可提高非晶 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的性能和可靠性
期刊：日本应用物理学杂志，卷。 58，第 090604 号，第 1-9 页
年份：2019
- 作者：Sumio Sugisaki、Tokiyoshi Matsuda、Matsunori Uenuma、Toshihide Nabatame、Yasuhiko Nakashima、Takahito Imai、Yusaku Magari、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta、Mutsumi Kimura
标题：非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性
期刊：科学报告，卷。 9，第 2757 期，第 1-7 页
年份：2019
- 作者：SG Mehadi Aman、Yusaku Magari、Kenta Shimpo、Yuya Hirota、Hisao Makino、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta
标题：用于薄膜晶体管的 Ar+O2+H2 溅射 In-Ga-Zn-O 的低温（150 °C）激活
期刊：应用物理快报，卷。 11，第 081101 号，第 1-4 页
年份：2018
- 作者：SG Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、Mamoru Furuta
标题：SiO2 钝化 PE-CVD 中的沉积温度和源气体对 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管性能和可靠性的影响
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices，卷。 65，第 8 期，第 3257-3263 页
年份：2018
- 作者：曲优作、牧野久雄、古田守
标题：Ar 和 He 等离子体处理的 In-Ga-Zn-O 薄膜中的载流子生成机制和亚带隙态的起源
期刊：ECS 固体科学与技术杂志，卷。 6，第 8 期，第 Q101-Q107 页
年份：2017
- 作者：户田达也、辰冈源吾、曲优作、古田守
标题：使用在 150 °C 下制造的可涂层有机绝缘体的高性能顶栅和自对准 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管
期刊：IEEE 电子设备快报，卷。 37，第 8 期，第 1006-1009 页
年份：2016
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