教职人员

语言 ≫ 日语

教授
古田守

出生年份：1964 年
性别：男
职位名称：

- 研究所所长
- 纳米技术中心主任
- 共同创意创新中心负责人
隶属关系：

- 研究所
- 工程科学学院
- 环境科学与工程学院
- 材料科学与工程，工程系，工程研究生院
- 研究院纳米技术中心
- 研究院共创创新中心
研究地图：https://researchmapjp/M_Furuta0208418
文章来自《前沿研究与社会贡献》：
https://wwwkochi-techacjp/english/power/research/flexible_transparent_ electronics_realized_with_oxy_semiconductorshtml

专业领域
实验室/研究办公室	先进材料与器件科学实验室先进的设备和材料使我们能够改善生活质量和环境负荷。此外，器件科学对于增强材料功能至关重要。该实验室以半导体为核心材料，开展了从材料到器件科学的广泛研究。我们的目标是通过先进的信息技术功能设备来提高生活质量。
当前研究主题
教育背景
专业背景
许可证
学术团体

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课程

* 以英语提供的课程带有 (E) 标记

本科学校	功能电子器件工程物理和材料实验毕业论文本科生个人作品固体物理2 半导体材料物理学
研究生院	毕业生个人作品研讨会 1 研讨会 2 研讨会 3 研讨会 4 高级研讨会 1 高级研讨会2 电气材料和器件物理学

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研究活动

研究论文	作者：FURUTA Mamoru、Alom Mir Mutakabbir、FARID Forhaz、Motoki Ando、Yoshihiro Sato、Takafumi Kambe、Tsutomu Satoyoshi 标题：无氢氧化物薄膜晶体管解决与氢相关的不稳定性期刊：信息显示学会杂志，卷。 33，第 5 期，第 582-593 页，威利年份：2025 年作者：冈本直树、王小千、森田幸太郎、加藤佑人、Alom Mir Mutakabbir、Magari Yusaku、FURUTA Mamoru 标题：固相结晶形成的增强型多晶氧化铟薄膜晶体管的均匀性和可靠性期刊：IEEE 电子设备通讯，卷。 45，第 12 期，第 2403-2406 页，IEEE 年份：2024 年作者：Prashant R Ghediya、Yusaku Magari、Hikaru Sadahira、Takashi Endo、Mamoru Furuta、Yuqiao Zhu、Yasutaka Matsuo、Hiromichi Ohta 标题：高迁移率氧化铟薄膜晶体管的可靠运行期刊：小方法，第 2400578-1-2400578-8 页年份：2024 年作者：潘玉珠、王欣、廖雨涵、徐玉冰、李雨薇、李青、张晓兵、陈静、朱卓亚、赵志伟、Elias Emeka Elemike、Mamoru Furuta、Wei Lei 标题：外延钙钛矿单晶异质结，用于具有可调光谱响应的无滤波器超窄带检测期刊：ACS 应用材料与界面，卷。 14(44)，第 50331-50342 页年份：2022 年作者：Y Magari、W Yeh、T Ina、Mamoru Furuta 标题：晶界散射对固相结晶氢化多晶 In2O3 (In2O3:H) 场效应迁移率的影响期刊：纳米材料，卷。 12(17)，第 2958-1-2958-10 页年份：2022 年作者：Yusaku Magari、Taiki Kataoka、Wenchang Yeh、Mamoru Furuta 标题：高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管期刊：自然通讯，卷。 13，第 1078-1-1078-8 页年份：2022 年作者：Velichko Rostislav、Yusaku Magari、Mamoru Furuta 标题：用于柔性器件应用的低温退火后掺氢 In-Ga-Zn-O (IGZO:H) 薄膜中的缺陷钝化和载流子减少机制期刊：材料，卷。 15，第 1 期，第 334-1-334-12 页，MDPI 年份：2022 年作者：Taiki Kataoka、Yusaku Magari、Hisao Makino、Mamoru Furuta 标题：用于薄膜晶体管的低温固相结晶形成的非简并多晶掺氢氧化铟 (InOx:H) 薄膜期刊：材料，卷。 15，第 1 期，第 187-1-187-11 页，MDPI 年份：2021 作者：Hyo-Eun Kim、Hye-Won Jang、Mamoru Furuta、Jeonghan Yoon、Saeroonter Oh、Sung-Min Yoon 标题：有机层间电介质对提高自对准共面In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的机械柔性的影响期刊：有机电子学，卷。 96，第 106223-1-106223-7 页年份：2021 作者：Velichko Rostislav、MAGARI Yusaku、Hisao Makino、Mamoru Furuta 标题：添加适量氢气对直流磁控溅射沉积氧化锡薄膜性能影响的研究期刊：日本应用物理学杂志，卷。 60，第 055503-1-055503-6 年份：2021 作者：Shuya Kono、Yusaku Magari、Marin Mori、SG Mehadi Aman、Norbert Fruehauf、Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta 标题：用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管期刊：日本应用物理学杂志，卷。 60，第 SBBM05-1-SBBM05-6 年份：2021 作者：曲优作、古田守标题：In-Ga-Zn-O溅射过程中引入水和氢对低温加工薄膜晶体管性能的影响期刊：日本应用物理学杂志，卷。 60，第 SBBM04-1-SBBM04-5 年份：2021 作者：Yusaku Magari、S G Mehadi Aman、Daichi Sasaki、Kentaro Masuda、Kenta Shimpo、Hisao Makino、Mutsumi Kimura、Mamoru Furuta 标题：创纪录的高性能氢化 In-Ga-Zn-O 柔性肖特基二极管期刊：ACS 应用材料与界面，卷。 12，第 47739-47746 页年份：2020 作者：Daichi Koretomo、Shuhei Hamada、Marin Mori、Yusaku Magari、Mamoru Furuta 标题：通过应用氢化 IGZO 作为沟道材料，150 °C 处理的 In-Ga-Zn-O (IGZO) 薄膜晶体管的可靠性显着提高期刊：应用物理快报，卷。 13，第 076501-1-076501-4 年份：2020 作者：佐佐木大地、滨田周平、曲优作、古田守标题：薄膜晶体管非晶 In-Ga-Zn-O 异质结通道中的量子限制效应期刊：材料，卷。 13，第 1935-1-1935-12 页年份：2020 作者：王大鹏、Mamoru Furuta、Shigekazu Tomai、Koki Yano 标题：了解温度和漏极电流应力在具有不同有源层厚度的 InSnZnO TFT 中的作用期刊：纳米材料，卷。 10，第 4 期，第 617-1-617-10 页年份：2020 作者：Yusaku Magari、S G Mehadi Aman、Daichi Sasaki、Kentaro Masuda、Kenta Shimpo、Mamoru Furuta 标题：低温（150 °C）加工的金属半导体场效应晶体管，具有氢化 In-Ga-Zn-O 堆叠沟道期刊：日本应用物理学杂志，卷。 59，第 SGGJ04-1-SGGJ04-5 年份：2020 作者：Hyo-Eun Kim、Mamoru Furuta、Sung-Min Yoon 标题：用于自对准共面 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的有机层间电介质的简便掺杂工艺期刊：IEEE 电子设备通讯，卷。 41，第 3 期，第 393-396 页年份：2020 作者：王大鹏、李丹、赵文静、古田守标题：高性能薄膜晶体管非晶 InGaZnO 中的缺陷梯度控制期刊：物理学杂志 D：应用物理学，卷。 53，第 1351404-1-1351404-7 年份：2020 作者：Ayata Kurasaki、Ryo Tanaka、Sumio Sugisaki、Tokiyoshi Matsuda、Daichi Sasaki、Yusaku Magari、Mamoru Furuta、Mutsumi Kimura 标题：不同氧密度双层非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性期刊：材料，卷。 12，第 3236-1-3236-8 页，MDPI 年份：2019 作者：Dang Thai Giang、Martin Allen、Mamoru Furuta、Toshiyuki Kawaharamura 标题：雾气CVD生长氧化物半导体制造的电子器件及其应用期刊：日本应用物理学杂志，卷。 58，p。 090606 年份：2019 作者：王大鹏、古田守标题：退火引起的不稳定性的定量分析期刊：贝尔斯坦纳米技术杂志，卷。 10，第 1125-1130 页年份：2019 作者：Mamoru Furuta、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、SG Mehadi Aman、Ryunosuke Higashi、Shuhei Hamada 标题：异质结沟道工程可提高非晶 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的性能和可靠性期刊：日本应用物理学杂志，卷。 58，第 9 期，第 090604-1-090604-9 页年份：2019 作者：Sol-Mi Kwak、Hung-Rae Kim、Hye-Won Jang、Ji-Hee Yang、Mamoru Furuta、Sung-Min Yoon 标题：使用溶液工艺兼容的聚合物栅极绝缘体提高了 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的偏置应力和长期稳定性。期刊：有机电子学，卷。 71，第 7-13 页年份：2019 作者：C J Koswaththage、T Higashizako、T Okada、T Sadoh、Mamoru Furuta、B S Bae、T Noguchi 标题：蓝色激光二极管退火高迁移率溅射InSb薄膜期刊：AIP 进展，卷。 9，第 4 期，第 045009-1-045009-5 页年份：2019 作者：王大鹏、赵文静、古田守标题：热预算退火和有源层缺陷含量的协同优化可增强 InGaZnO 薄膜的电特性和偏置应力稳定性期刊：物理学杂志 D：应用物理学，卷。 52，第 235101-1-235101-6 页年份：2019 作者：sumio sugisaki、tokiyoshi Matsuda、Matsunori Uenuma、Toshihide Nabatame、Yasuhiko Nakashima、Takahito Imai、Yusaku Magari、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta、Musumi Kimura 标题：非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性期刊：科学报告，卷。 9，第 2757-1-2757-7 页年份：2019 作者：Daichi Koretomo、Yuta Hashimoto、Shuhei Hamada、Miki Miyanaga、Mamoru Furuta 标题：SiO2钝化对In-W-Zn-O薄膜晶体管电性能和可靠性的影响期刊：日本应用物理学杂志，卷。 58，第 1 期，第 018003-1-018003-3 页，日本应用物理学会年份：2018 作者：王大鹏、古田守标题：探索不同有源层厚度的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的光漏电流和光致负偏压不稳定性期刊：贝尔斯坦纳米技术杂志，卷。 9，第 2573-2580 页年份：2018 作者：SG Mehadi Aman、Daichi Koretomo、Yusaku Magari、Mamoru Furuta 标题：SiO2 钝化 PE-CVD 中的沉积温度和源气体对 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管性能和可靠性的影响期刊：IEEE Transaction on Electron Devices，卷。 65，第 8 期，第 3257-3263 页，IEEE 年份：2018 作者：Aman S G Mehadi、Yusaku Magari、Kenta Shimpo、Yuya Hirota、Hisao Makino、Daichi Koretomo、Mamoru Furuta 标题：Ar+O2+H2溅射In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的低温（150℃）激活期刊：应用物理快报，卷。 11，第 8 期，第 0811101-1-0811101-4 页年份：2018 作者：Aman S G Mehadi、Mamoru Furuta 标题：In-Ga-Zn-O薄膜晶体管钝化膜密度与可靠性之间的相关性期刊：日本应用物理学杂志，卷。 57，第 088001-1-088001-2 年份：2018 作者：王大鹏、赵文静、李华、古田守标题：不同有源层厚度的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管中漏电流应力引起的不稳定性期刊：材料，卷。 11，第 4 期，第 559-1-559-11 页年份：2018 作者：Mamoru Furuta、Yusaku Magari、Shinsuke Hashimoto、Kenichiro Hamada 标题：用于柔性器件应用的低温处理 InGaZnO MES-FET 期刊：ECS 交易，卷。 79，第 1 期，第 43-48 页年份：2017 作者：松田时吉、梅田健太、加藤雄太、西本大树、古田守、木村须美标题：无稀有金属高性能Ga-Sn-O薄膜晶体管期刊：科学报告，卷。 7，p。 44326 年份：2017 作者：王大鹏、蒋景欣、古田守标题：自对准薄膜晶体管掺氟 n+-In-Ga-Zn-O 载流子生成机制的研究期刊：IEEE 显示技术杂志，卷。 12，第 3 期，第 258-262 页，IEEE 年份：2016 作者：Kahori Kise、Mami Fujii、Satoshi Urakaswa、Haruka Yamazaki、Emi Kawashima、Shigekazu Tomai、Koki Yano、王大鹏、FURUTA Mamoru、Yasuaki Ishikawa、Yukiharu Uraoka 标题：动态应力下氧化物薄膜晶体管的自热导致不稳定期刊：应用物理快报，卷。 108，p。 023501 年份：2016 作者：FURUTA Mamoru、JIANG Jingxin、MAI Phi Hung、Tatsuya Toda、王大鹏、Gengo Tatsuoka 标题：氟钝化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管抑制负栅极偏压和照明应力退化期刊：ECS 固体科学与技术杂志，卷。 5，第 3 期，第 Q88-Q91 页年份：2016 年作者：MAI Phi Hung、王大鹏、FURUTA Mamoru 标题：交流 (AC-) 栅极偏压提高 IGZO TFT 的 NBIS 稳定性的起源期刊：ECS 固态快报，卷。 4，第 12 期，第 Q66-Q68 页，电化学协会年份：2015 年作者：G T Dang、河原村敏之、FURUTA Mamoru、M W Allen 标题：雾气 CVD 生长的掺锡 α-Ga2O3 MESFET 期刊：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES，卷。 62，第 11 期，第 3640-3644 页年份：2015 年作者：Y Koga、T Matsuda、M Kimura、王大鹏、FURUTA Mamoru、M Kasami、S Tomai、K Yano 标题：使用非晶 In-Sn-Zn-O 薄膜晶体管的集成触摸屏频率调制电容传感器期刊：IEICE Trabsaction on Electronics，卷。 E98-C，第 11 期，第 1028-1031 页年份：2015 年作者：MAI Phi Hung、王大鹏、FURUTA Mamoru 标题：通过电导法研究后退火时间对 In-Ga-Zn-O TFT 正偏压稳定性的影响期刊：IEEE Transaction on Electron Devices，卷。 62，第 11 期，第 3697-3702 页年份：2015 年作者：G T Dang、河原村敏之、FURUTA Mamoru、S Saxena、M W Allen 标题：In-Ga-Zn-O 金属半导体场效应晶体管在偏置、照明和温度应力下的稳定性期刊：应用物理快报，卷。 107，第 143504-1-143504-5 页年份：2015 年作者：古田守、蒋静心、辰冈源吾、王大鹏标题：（特邀）氟对 In-Ga-Zn-O 的掺杂和缺陷钝化期刊：ECS 交易，卷。 67，第 (1)，第 41-49 页年份：2015 年作者：江晶鑫、户田龙也、MAI Phi Hung、王大鹏、FURUTA Mamoru 标题：正栅极偏压和温度应力下高度稳定的氟钝化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管期刊：应用物理快报，卷。 7，第 114103-01-114103-4 页年份：2014 年作者：户田达也、王大鹏、蒋景欣、麦菲洪、古田卫标题：薄膜晶体管上氢从氧化硅蚀刻停止层扩散到非晶 In-Ga-Zn-O 的影响的定量分析期刊：IEEE Transactions on Electron Devices，卷。 61，第 11 期，第 3762-3767 页年份：2014 年作者：FURUTA Mamoru、KAWAHARAMURA Toshiyuki、Takayuki Uchida、WANGDapeng、SANADA Masaru 标题：通过臭氧辅助大气压雾沉积制造的高性能溶液处理 InGaZnO 薄膜晶体管期刊：显示技术杂志，卷。 10，第 11 期，第 934-938 页，IEEE 年份：2014 年作者：蒋景新、古田守、王大鹏标题：具有通过直接沉积氟化氮化硅形成的源极/漏极区域的自对准底栅 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管期刊：IEEE 电子设备快报，卷。 35，第 9 期，第 933-935 页年份：2014 年作者：MAI Phi Hung、WANGDapeng、Tatsuya Toda、JIANG Jingxin、FURUTA Mamoru 标题：空穴捕获和缺陷产生的定量分析期刊：ECS 固体科学与技术杂志，卷。 3，第 9 期，第 Q3023-Q3026 页年份：2014 年作者：王大鹏、MAI Phi Hung、蒋景欣、户田达哉、FURUTA Mamoru 标题：通过施加负漏极偏置来抑制非晶 InGaZnO 薄膜晶体管中由负栅极偏置和照明应力引起的退化期刊：ACS 应用材料与界面，卷。 6，第 8 期，第 5713-5718 页年份：2014 年作者：MAI Phi Hung、王大鹏、蒋景新、FURUTA Mamoru 标题：InGaZnO 薄膜晶体管背沟道界面处的负偏压和照明应力诱导电子捕获期刊：ECS 固态通讯，卷。 3，第 3 期，第 Q13-Q16 页年份：2014 年作者：王大鹏、MAI Phi Hung、蒋景欣、户田龙也、李朝阳、FURUTA Mamoru 标题：漏极偏压对负栅极偏压和光照应力引起的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管退化的影响期刊：日本应用物理学杂志，卷。 53，第 03CC01-1-03CC01-4 年份：2014 年作者：河原村敏之、内田孝之、真田胜、古田守标题：雾化学气相沉积法生长的 AlOx 的生长和电性能期刊：AIP Advances，卷。 3，第032135-1-032135-9 年份：2013 年作者：Satoshi Urakawa、Shigekazu Tomai、Yoshihiro Ueoka、Haruka Yamazaki、Masashi Kasami、Koki Yano、WANGDapeng、FURUTA Mamoru、Masahiro Horita、Yasuaki Ishikawa、Yukiharu Uraoka 标题：焦耳热和热载流子效应相结合而退化的非晶氧化物薄膜晶体管的热分析期刊：应用物理快报，卷。 102，第053506-1-053506-4 年份：2013 年作者：户田达也、河原村俊之、FRUSAWA Hiroshi、FURUTA Mamoru 标题：使用单壁碳纳米管介电泳组装的薄膜晶体管期刊：ECS 交易，卷。 50，第 8 期，第 223-228 页年份：2012 年作者：古田守、河原村敏之、户田达也、王大鹏标题：采用非真空处理的 InGaZnO/AlOx 栅极电介质堆栈的 A-InGaZnO 薄膜晶体管期刊：ECS 交易，卷。 50，第 8 期，第 95-100 页年份：2012 年作者：岛川真一、王大鹏、FURUTA Mamoru 标题：氧化锌薄膜晶体管的光致负偏压不稳定性期刊：日本应用物理学杂志，卷。 51，第 10 期，第 108003-1-108003-2 页年份：2012 年作者：FURUTA Mamoru、KAWAHARAMURA Toshiyuki、WANGDapeng、Tatsuya Toda、HIRAO Takashi 标题：具有通过基于溶液的大气压沉积形成的氧化铟镓锌通道和氧化铝栅极电介质堆栈的薄膜晶体管的电性能期刊：IEEE 电子设备快报，卷。 33，第 6 期，第 851-853 页，IEEE 年份：2012 作者：河原村俊之、Tai Jan Dan、FURUTA Mamoru 标题：通过细通道雾化学气相沉积成功生长导电高结晶 Sn 掺杂 a-Ga2O3 薄膜期刊：日本应用物理学杂志，卷。 51, pp 040207-1-040207-3, 日本应用物理学会< 年份：2012 年作者：T Nishida、K Fuse、FURUTA Mamoru、Y Ishikawa、Y Uraoka 标题：利用化学气相沉积、溅射和电子束蒸发沉积的非晶硅厚膜的生物矿化镍纳米点进行结晶期刊：日本应用物理学杂志，卷。 51，第 03CA01-1-03CA01-5 页，日本应用物理学会年份：2012 年作者：S Shimakawa、Y Kamada、KAWAHARAMURA Toshiyuki、WANGDapeng、李朝阳、S Fujita、HIRAO Takashi、FURUTA Mamoru 标题：可见光照射下不同氧分压下形成的具有 ZnO 通道的薄膜晶体管的光漏电流期刊：日本应用物理学杂志，卷。 51页，03CB04-1-03CB04-4，日本应用物理学会〈年份：2012 年作者：MOMOTA Sadao、Jango Hangu、Takuya Toyonaga、Hikaru Terauchi、Kazuki Maeda、Jun Taniguchi、HIRAO Takashi、FURUTA Mamoru、KAWAHARAMURA Toshiyuki 标题：通过照射Ar束控制Si晶体的膨胀高度期刊：纳米科学与纳米技术杂志，卷。 12，第 1 期，第 552-556 页，美国科学出版社年份：2012 年作者：T Sakai、H Seo、S Aihara、M Kubota、N Egami、WANGDapeng、FURUTA Mamoru 标题：用于有机图像传感器的 128×96 像素、50 m 像素间距透明读出电路，采用 InGaZnO4 薄膜晶体管阵列和氧化铟锡电极期刊：日本应用物理学杂志，卷。 51，第 010202-1-010202-3 页年份：2011 作者：M Kimura、FURUTA Mamoru、Y Kamada、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA Hiroshi、李朝阳、S Fujita、HIRAO Takashi 标题：ZnO 薄膜晶体管中陷阱密度的提取以及 ZnO 薄膜溅射过程中氧分压的依赖性期刊：IEEE Transactions on Electron Devices，卷。 58，第 9 期，第 3018-3024 页，IEEE 电子器件协会年份：2011 作者：M Kimura、FURUTA Mamoru、Y Kamada、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA Hiroshi、李朝阳、S Fujita、HIRAO Takashi 标题：几种沉积条件下具有 SiOx 栅极绝缘体的 ZnO 薄膜晶体管中的陷阱密度期刊：电化学和固态快报，卷。 14，第 H365-H367 页年份：2011 作者：Y Kamada、S Fujita、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA Mamoru、HIRAO Takashi 标题：沟道区化学化学计量对 ZnO 薄膜晶体管偏置不稳定性的影响期刊：应用物理快报，卷。 98，p。 103512 年份：2011 作者：Y Kamada、S Fujita、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA Mamoru、HIRAO Takashi 标题：减少双栅极结构 ZnO 薄膜晶体管的光漏电流期刊：IEEE 电子设备快报，卷。 32，p。第509章年份：2011 作者：FURUTA Mamoru、Y Kamada、T Hiramatsu、李朝阳、M Kimura、S Fujita、HIRAO Takashi 标题：具有 SiOx/SiNx 堆叠栅极绝缘体的底栅极氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) 的正偏置不稳定性期刊：日本应用物理学杂志，卷。 50，p。 03CB09 年份：2011 作者：T Hiramatsu、FURUTA Mamoru、T Matsuda、李朝阳、HIRAO Takashi 标题：氧化锌薄膜中氧通过热退火的行为及其对薄层电阻的影响期刊：应用表面科学，卷。 257，p。 5480 年份：2011 作者：H Seo、S Aihara、T Watabe、H Ohtake、T Sakai、M Kubota、N Egami、T Hiramatsu、FURUTA Mamoru、HIRAO Takashi 标题：128×96 像素堆叠式彩色图像传感器：与 ZnO 薄膜晶体管读出电路集成的单独的蓝色、绿色和红色敏感有机光电导薄膜的堆叠期刊：日本应用物理学杂志，卷。 50，p。 024103 年份：2011 作者：M Furuta、Y Kamada、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、C Li、H Furuta、S Fujita、T Hirao 标题：不同氧分压下溅射沉积 ZnO 通道的薄膜晶体管驼峰特性分析期刊：IEEE 电子设备快报，卷。 31，第 1257-1259 页，IEEE 年份：2010 作者：H Furuta、T Kawaharamura、M Furuta、K Kawabata、T Hirao、T Komukai、K Yoshihara、Y Shimomoto、T Oguchi 标题：通过新开发的横截面 XRD 测量对多壁碳纳米管森林进行晶体结构分析期刊：应用物理快报，卷。 3，第 105101-1-105101-3 页，日本应用物理学会年份：2010 作者：T Matsuda、M Furuta、T Hiramatsu、H Furuta、C Li、T Hirao 标题：通过热脱附光谱评估射频磁控溅射制备的 ZnO 薄膜的热稳定性期刊：应用表面科学，卷。 256，第 21 期，第 6350-6353 页，爱思唯尔年份：2010 作者：H Furuta、K Ishii、K Okada、M Furuta、T Hirao 标题：面内型三极管碳纳米管发射器的仿真研究期刊：真空科学与技术学报 B，卷。 28，第 4 期，第 878-881 页，AVS 科学技术协会年份：2010 作者：H Furuta、T Kawaharamura、K Kawabata、M Furuta、T Matsuda、C Li、T Hirao 标题：玻璃上高密度短高度直接生长 CNT 图案化发射器期刊：表面科学与纳米技术电子期刊，卷。 8，第 336-339 页，日本表面科学会年份：2010 作者：T Hiramatsu、T Matsuda、H Furuta、H Nitta、T Kawaharamura、C Li、M Furuta、T Hirao 标题：脉冲衬底偏压对感应耦合等离子体沉积沉积的 SiO2 薄膜特性的影响期刊：日本应用物理学杂志，卷。 49，第 03CA03-1-03CA03-4 年份：2010 作者：M Furuta、K Shimamura、H Tsubokawa、K Tokushige、H Furuta、T Hirao 标题：玻璃基板上硼注入多晶硅的活化行为期刊：固体薄膜，卷。 518，第 4477-4481 页，爱思唯尔年份：2010 作者：Y Kamada、S Fujita、T Hiramatsu、T Matsuda、H Nitta、FURUTA Mamoru、HIRAO Takashi 标题：可见光下 ZnO TFT 的光漏电流期刊：日本应用物理学杂志，卷。 49，p。 03CB03 年份：2010 作者：T松田、古田守、T平松、古田宏、平尾隆标题：铟注入和后退火的 ZnO 薄膜的结晶度和电阻率期刊：真空科学与技术杂志A，卷。 28，p。 135 年份：2010 年作者：FURUTA Mamoru、T Hiramatsu、HIRAO Takashi 标题：采用低频脉冲衬底偏置的感应耦合等离子体化学气相沉积 (ICP-CVD) 增强微晶硅薄膜的成核作用期刊：日本应用物理学杂志，卷。 49，p。 050202 年份：2010 作者：Y Kamada、S Fujita、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA Mamoru、HIRAO Takashi 标题：利用铟离子注入分析 ZnO 薄膜晶体管的亚阈值光漏电流期刊：固态电子学，卷。 54，p。第1392章年份：2010 作者：古田守、李朝阳、平尾隆标题：氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) 的均匀性和稳定性期刊：信息显示学会杂志，卷。 18/10，p。第773章年份：2010 作者：M Kimura、Y Kamada、S Fujita、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA Mamoru、HIRAO Takashi 标题：利用器件仿真对 ZnO 薄膜晶体管中的光漏电流进行机理分析期刊：应用物理快报，卷。 97，p。 163503 年份：2010 作者：朝阳李、Tokiyoshi Matsuda、Toshiyuki Kawaharamura、Hiroshi Furuta、Mamoru Furuta、Takahiro Hiramatsu、Takashi Hirao、Yoichiro Nakanishi、Keiji Ichi 标题：射频溅射过程中气体比例和衬底偏压对 ZnO 纳米结构的结构和光致发光性能的影响期刊：J Vac。科学。技术。 B，卷。 28，第 2 期，第 C2B51-55 页年份：2010 作者：FURUTA Mamoru、T Nakanishi、M Kimura、T Hiramatsu、T Matsuda、KAWAHARAMURA Toshiyuki、FURUTA Hiroshi、HIRAO Takashi 标题：栅极绝缘体表面处理对底栅 ZnO 薄膜晶体管均匀性的影响期刊：电化学和固态快报，卷。 13，第 H101-H104 页年份：2010 作者：朝阳李、Mamoru Furuta、Tokiyoshi Matsuda、Takahiro Hiramatsu、Hiroshi Furuta、Takashi Hirao 标题：基底对射频磁控溅射制备的Al掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响期刊：固体薄膜，卷。 517，第 3265-3268 页年份：2009 作者：FURUTA Mamoru、T Hiramatsu、T Matsuda、李朝阳、FURUTA Hiroshi、HIRAO Takashi 标题：沉积在绝缘体上的未掺杂 ZnO 薄膜的热稳定性和薄层电阻期刊：电化学和固态快报，卷。 12，第 K74-K76 页年份：2009 作者：S Aihara、H Seo、M Namba、H Ohtake、M Kubota、N Egami、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA Mamoru、HIRAO Takashi 标题：具有绿色和红色敏感有机光电导薄膜的堆叠式图像传感器，将氧化锌薄膜晶体管应用于信号读出电路期刊：IEEE Trans。电子器件，卷。 56，第 11 期，第 2570-2576 页年份：2009 作者：T Hiramatsu、FURUTA Mamoru、FURUTA Hiroshi、T Matsuda、李朝阳、HIRAO Takashi 标题：衬底偏压对溅射沉积 ZnO 薄膜晶体结构和热稳定性的影响期刊：晶体生长杂志，卷。 311，第 282-285 页年份：2009 作者：朝阳李、Toshiyuki Kawaharamura、Tokiyoshi Matsuda、Hiroshi Furuta、Takahiro Hiramatsu、FURUTA Mamoru、Takashi Hirao 标题：具有凹槽六角锥体纳米结构的低温沉积 ZnO 薄膜产生强绿色阴极发光期刊：Appl。物理。快报，卷。 2，第 091601-091603 页年份：2009 作者：FURUTA Mamoru、T Hiramatsu、T Matsuda、李朝阳、FURUTA Hiroshi、HIRAO Takashi 标题：氧轰击对溅射沉积 ZnO 薄膜平均晶粒尺寸的影响期刊：非晶固体杂志，卷。 354，第 1926-1931 页年份：2008 作者：T Matsuda、FURUTA Mamoru、T Hiramatsu、李朝阳、FURUTA Hiroshi、HIRAO Takashi 标题：非晶缓冲层对溅射沉积未掺杂 ZnO 薄膜结晶度的影响期刊：晶体生长杂志，卷。 315，第 31-35 页年份：2008 作者：FURUTA Mamoru、HIRAO Takashi、T Hiramatsu、T Matsuda、李朝阳、FURUTA Hiroshi、H Hokari、M Yoshida、H Ishii、M Kakekawa 标题：用于 AM-LCD 的底栅氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) 期刊：IEEE Trans。电子器件，卷。 55，第 11 期，第 3136-3142 页年份：2008 作者：FURUTA Mamoru、T Hiramatsu、T Matsuda、FURUTA Hiroshi、HIRAO Takashi 标题：高能粒子轰击对射频磁控溅射沉积的氧化锌 (ZnO) 薄膜微观结构的影响期刊：日本应用物理学杂志，卷。 46，第 4038-4041 页年份：2007 年作者：T Hirao、M Furuta、H Furuta、TMatsuda、T Hiramatsu、H Hokari、M Yoshida、MIshii、MKakekawa 标题：用于 AMLCD 的新型顶栅氧化锌薄膜晶体管 (ZnO TFT) 期刊：Jof the SID，卷。 15，第 17-22 页年份：2007 年作者：H Furuta、M Furuta、TMatsuda、THiramatsu、T Hirao 标题：使用四甲基硅烷通过感应耦合等离子体化学气相沉积在 100℃ 下合成的 SiO2 绝缘膜期刊：日本应用物理学杂志，卷。 46，第 10 期，L237-L240 页，日本应用物理学会年份：2007 年作者：朝阳李、Mamoru Furuta、Tokiyoshi Matsuda、Takahiro Hiramatsu、Hiroshi Furuta、Takashi Hirao 标题：射频功率和热退火对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜性能的影响期刊：材料科学研究通讯，卷。 1155，第 26459-26463 页年份：2007 年作者：T Hiramatsu、FURUTA Mamoru、FURUTA Hiroshi、T Matsuda、HIRAO Takashi 标题：热退火对射频磁控溅射沉积氧化锌薄膜微观结构的影响期刊：日本应用物理学杂志，卷。 46，第 3319-3323 页年份：2007 年作者：T松田、古田守、T平松、古田宏、平尾隆标题：后退火的 Ga 和 Al 注入氧化锌薄膜的薄层电阻和结晶度期刊：真空科学与技术杂志A，卷。 25，第 706-710 页年份：2007 年作者：T Komukai、K Aoki、H Furuta、M Furuta、K Oura、HIRAO Takashi 标题：Fe/Al多层催化剂热化学气相沉积法生长的高密度垂直排列碳纳米管的结构分析期刊：日本应用物理学杂志，卷。 45，第 11 期，第 8988-8990 页，日本应用物理学会年份：2006 年作者：K Aoki、T Yamamoto、H Furuta、T Ikuno、S Honda、M Furuta、K Oura、T Hirao 标题：使用 CuNi 催化剂通过热化学气相沉积法低温生长碳纳米纤维期刊：日本应用物理学杂志，卷。 45，第 5329 期，第 5329-5331 页，日本应用物理学会年份：2006 年作者：T Komukai、K Aoki、FURUTA Hiroshi、FURUTA Mamoru、K Oura、HIRAO Takashi 标题：通过铁/铝多层催化剂的厚度控制碳纳米管的密度期刊：日本应用物理学杂志，卷。 45，第 6043-6045 页年份：2006年作者：FURUTA Mamoru、Y浦冈、TFuyuki 标题：LDD 结构的低温多晶硅 TFT 的可靠性期刊：日本应用物理学杂志，卷。 42，第 4257-4260 页年份：2003 年作者：FURUTA Mamoru、H Satani、T Terashita、T Tamura、Y Tsuchihashi 标题：离子掺杂引起的多晶硅薄膜晶体管氢注入损伤期刊：日本应用物理学杂志，卷。 41，第 1259-1264 页年份：2002 年作者：Y Miyata、FURUTA Mamoru、T Yoshioka、T Kawamura 标题：准分子激光照射再结晶多晶硅和离子掺杂法掺杂期刊：应用物理学杂志，卷。 73，第 3271-3275 页年份：1993 作者：FURUTA Mamoru、T Kawamura、T Yoshioka、Y Miyata 标题：使用 XeCl 准分子激光退火和离子掺杂的底栅多晶硅薄膜晶体管期刊：IEEE Transaction on Electron Devices，卷。 40，第 1964-1969 年年份：1993 作者：Y Miyata、FURUTA Mamoru、T Yoshioka、T Kawamura 标题：用于大面积液晶显示器的低温多晶硅薄膜晶体管期刊：日本应用物理学杂志，卷。 31，第 4559-4562 页年份：1992 作者：K 冈本、古田守、K 山口标题：通过金属有机化学气相沉积在 (110) GaAs 衬底上横向生长期刊：日本应用物理学杂志，卷。 27，第 L437-L440 页年份：1988 作者：K冈本、古田守、K山口标题：金属有机化学气相沉积法生长的 110 期刊：日本应用物理学杂志，卷。 27，第 L2121-L2124 页年份：1988
主题演讲	用于显示器和 LSI 应用的高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管，2023 年用于显示应用的金属氧化物半导体薄膜晶体管技术，消费电子与设备国际会议 (ICCED2022)，中国南京（在线），2022 年
特邀讲座	用于高迁移率薄膜晶体管的氧化铟固相结晶，台湾光学与光子学国际会议 (OPTIC 2025)，国立台湾科技大学 (NTUST)，台湾台北，2025 年用于高迁移率 TFT 的氧化铟固相结晶，国际信息显示会议 (IMID2025)，韩国釜山，2025 年固相结晶形成的多晶氧化铟薄膜晶体管，信息显示协会（2025 年显示周），美国加利福尼亚州圣何塞，2025 年高性能、可靠的多晶氧化铟薄膜晶体管，2024 年氢掺杂多晶氧化铟薄膜晶体管的性能和可靠性，ECS PRiME2024，夏威夷檀香山，2024 年具有固相结晶掺氢氧化铟通道的高迁移率增强模式薄膜晶体管，国际信息显示会议 (IMID2024)，韩国济州岛，2024 年用于高迁移率薄膜晶体管的多晶氧化铟，2024 年亚太先进半导体器件研讨会 (AWAD 2024)，韩国江陵原州国立大学，2024 年高迁移率多晶氧化铟 (InOx:H) 薄膜晶体管，第 18 届国际薄膜晶体管会议，韩国凯斯特，2024 年用于低温加工 TFT 的氢掺杂氧化铟固相结晶，2023 年用于高迁移率薄膜晶体管的非简并氢掺杂多晶 InOx:H 薄膜，第 242 届 ECS 会议，美国亚特兰大，2022 年通过固相结晶形成用于高迁移率 TFT 的氢掺杂多晶氧化铟 (InOx:H)，第十七届国际薄膜晶体管会议 (ITC2022)，英国萨里大学，2022 年高迁移率氢掺杂多晶氧化铟 (InOx:H) TFT，第 22 届国际信息显示会议 (IMID2022)，韩国釜山，2022 年用于高迁移率薄膜晶体管的氢化氧化铟 (InOX:H) 固相结晶，有源矩阵平板显示器和设备国际研讨会 (AM-FPD22)，日本京都，2022 年用于柔性器件的具有阳极氧化 Al2O3 栅极电介质的氢化 IGZO (IGZO:H) TFT 的低电压操作，国际 TFT 会议 (ITC2020/2021)，中国，2021 年氧化物薄膜晶体管异质结沟道工程，混合，2020 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的异质结沟道工程，在线，2020 年用于有源矩阵的 TFT：从硅到氧化物和新材料，第三届消费电子与设备国际会议 (ICCED 2019)，中国南京，2019 年具有异质结沟道的 IGZO TFT 的载流子传输和偏置应力稳定性，第七届 ULSI 和 TFT 半导体技术国际会议，日本京都，2019 年具有有机栅极绝缘体的低温加工 InGaZnOx TFT，第五届绿色环境电子材料和纳米技术国际会议 (ENGE 2018)，韩国济州，2018 年 Ar+O2+H2 溅射 InGaZnOx 薄膜的低温活化及热退火，2018 年第四届 E-MRS & MRS-J 双边研讨会（第七届透明导电材料国际研讨会 (TCM2018)），希腊克里特岛，2018 年 InGaZnOx 薄膜晶体管的低温激活方法，ECS 和 SMEQ 联合国际会议，墨西哥坎昆，2018 年
奖项	信息显示学会特别表彰奖，2021 年 APEX/JJAP 编辑贡献奖，日本应用物理学会，2017 年
日本政府的科学研究补助金	项目名称：氧化锌透明晶体管及其在堆叠式图像传感器中的应用类别：科学研究补助金 (C) 项目编号：23560408 项目期限：2011-2013年总预算金额：5,330,000日元关键字：项目名称：用于堆叠图像传感器应用的柔性透明电路类别：科学研究补助金 (C) 项目编号：16K06309 项目期限：2016-2018 总预算金额：4,810,000日元关键字：项目名称：低温固相结晶形成的伪单晶氧化铟晶体管类别：科学研究补助金 (B) 项目编号：25K01291 项目周期：2025-2028 预算总额：18,720,000 日元关键字：

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社交活动

委员会角色	IMID 2019 项目分委员会，2019-2020 材料，客座编辑日本应用物理学会 APEX/JJAP 编辑，2018-2019 年

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