3月24日至26日在奈良县举行的国际薄膜晶体管会议（ITC2025）上，ALOM Mir Mutakabbir先生（博士生三年级，基础工程课程/导师：先进材料和元素科学实验室）古田守教授) 荣获最佳学生演讲奖。
ITC 是薄膜晶体管 (TFT) 领域的国际会议，在这里分享最新的研究成果和经验，并就器件设计、材料等进行有益的讨论。
ALOM 演讲的主题是“控制源极和漏极区域注入硼的顶栅多晶 InOx TFT 中的沟道缩短。”
本研究探讨了设计沟道长度与有效沟道长度之间的差异的原因和对策，这是限制氧化物半导体晶体管小型化的因素。在这项研究中，我们成功地将两者之间的差异减小到几乎为零，直至沟道长度达到2微米，从而实现了良好的晶体管特性。该奖项是为了表彰对氧化物半导体晶体管小型化做出贡献的成就。
获奖后，ALOM 表示：“我们的研究重点是推进短沟道氧化物薄膜晶体管 (TFT)，这是高分辨率显示器和大规模集成 (LSI) 系统的基础技术。随着器件尺寸缩小，沟道缩短成为主要挑战，导致栅极控制丧失、开关性能下降以及亚阈值斜率和阈值电压滚降。控制这个问题的关键策略之一是精确的源极和漏极形成，我们通过采用硼离子注入来解决这个问题，硼离子注入在抑制沟道缩短和稳健地确保器件在缩放长度上的行为方面发挥着至关重要的作用。此外，在短沟道器件中，接触电阻成为主要的性能限制因素。这些结果凸显了实现高性能、热稳定和可扩展氧化物电子器件的一条有前途的道路。我衷心感谢我的导师 Mamoru Furuta 教授的宝贵支持和指导，并深深感谢 ITC 2025 委员会以及所有为实现这一成就做出贡献的导师、合作者和同事。''
相关帖子
相关文章