理工科学生参加 SID Display Week 2025，这是一场介绍显示技术最新趋势的学术会议，于 5 月 11 日至 16 日在美国举行古田守教授因与Tokyo Electron Technology Solutions Ltd共同开发的氧化物半导体薄膜晶体管的高性能、高可靠性技术而荣获杰出论文奖。
（右图：古田教授）
氧化物半导体薄膜晶体管广泛应用于从有机EL电视到智能手表的显示器中。典型的氧化物半导体In-Ga-Zn-O（IGZO）的电子迁移率约为10 cm2/V·s，但电子迁移率（性能）还需要进一步提高。迄今为止，已经提出了许多高迁移率氧化物半导体材料，但晶体管性能和耐用性（可靠性）之间存在权衡，并且实现高性能、高可靠性氧化物半导体晶体管存在重大障碍。
古田教授着眼于氧化物半导体中掺入氢的根源（这是可靠性劣化的原因），并与东京电子技术解决方案有限公司共同开发了使用无氢原材料的绝缘膜形成技术。通过抑制过量的氢掺入氧化物半导体中，他成功地显着提高了薄膜晶体管的可靠性。
具体而言，在使用高迁移率氧化物In-Ga-Zn-Sn-O（（IGZTO），电子迁移率232 cm2/V·s）作为半导体层、使用无氢氧化硅（SiO 2 ）膜作为栅极绝缘膜的顶栅晶体管中，与传统元件相比，电子迁移率为23。 （232㎠/V･s）和环境温度80℃的加速测试，我们成功地将正栅极电压应力（PBTS）测试的可靠性提高了约300倍。
这有望成为实现氧化物半导体晶体管高性能和高可靠性的关键技术，同时有助于扩大氧化物半导体的应用范围。
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古田教授在获奖时说道：“平衡氧化物半导体晶体管的性能和可靠性是在社会中实施氧化物半导体晶体管时的一个重要观点。我很高兴该奖项认可了在保持性能的同时显着提高可靠性的结果。我将继续致力于创造研究成果，为扩大氧化物半导体的应用做出贡献。”
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