2024 年 12 月 4 日至 6 日在札幌会议中心举办的“第 31 届国际显示研讨会”上，ALOM Mir Mutakabbir 先生（博士生三年级，基础工程课程/导师：先进材料与元素科学实验室）古田守教授) 荣获最佳学生论文奖。
该奖项颁发给提交了优秀论文以及基于这些论文进行精彩演示和讨论的学生演讲者。
ALOM 展示的主题是“高度可靠的氢掺杂多晶氧化铟顶栅薄膜晶体管 (InOx:H TFT) 与无氢 SiO2栅极绝缘体和硼注入源极和漏极区域（无氢 SiO2高可靠性氢掺杂多晶氧化铟顶栅薄膜晶体管（带有栅绝缘膜和硼注入源漏区的InOx:H TFT)''。
本研究重点关注近年来备受关注的多晶氧化物半导体InOx:H 这是 Tokyo Electron Technology Solutions Co, Ltd 和 Nissin Ion Equipment Co, Ltd 之间的联合研究项目，旨在研究提高 TFT 的迁移率和可靠性。这项研究将使用简单结构研究的高迁移率晶体管开发成具有工业所需的微加工和自对准结构的元件，并证明了可以投入实际使用的可靠性。 ALOM 在实现这一目标方面发挥了主导作用。
ALOM 获奖"我很荣幸获得 IDW'24 最佳学生论文奖。这一认可凸显了我们在高可靠氢掺杂多晶氧化铟薄膜晶体管（TFT）方面的研究的重要性。氧化物半导体对于下一代显示器和 LSI 至关重要，但其可靠性对于其成功集成到实际设备应用中至关重要。衷心感谢导师Mamoru Furuta教授的支持和指导。这个奖项激励我继续推进氧化物半导体技术以满足未来的需求。"交谈过
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