11月8日至9日，在京都市龙谷大学举行的薄膜材料与器件研究组第16次研究会议上，Kai Mori（材料工程硕士一年级）做了研究报告并获得了学生奖。
该奖项颁发给学生演讲中特别优秀的演讲，最多占一般提交作品数量的 10%，由程序委员会成员和参与者投票选出。今年，从 40 份一般提交作品中选出了 4 个学生奖。
本次研究会以“新时代薄膜材料器件技术”为主题，围绕薄膜材料器件的基础与应用进行了研讨。
先生Mori 的研究小组展示了用于柔性器件应用的 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管 (IGZOTFT) 低温制造的研究成果。要实现柔性、可拉伸的设备，需要在“软”塑料基板上制造高性能 IGZOTFT。然而，由于塑料的耐热温度较低，低于约150°C，因此需要在低温下制造。
在我们实验室之前的研究中，我们报道了通过在IGZO成膜过程中添加氢，可以在150℃的热处理下实现晶体管的工作。然而，可用作栅极绝缘膜（GI）的高质量二氧化硅需要使用化学气相沉积（CVD）在400°C左右的高温下沉积，这一直是柔性器件制造中的一个问题。这次，我们通过阳极氧化法在室温下形成高介电常数氧化铝并将其应用于GI，成功地将薄膜晶体管（TFT）的整个制造过程降低到150°C以下。这项研究为在塑料上实现高性能晶体管打开了大门，并有望创造出薄、轻、灵活、形状自由的设备。
（第二张照片：制造的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管）
先生森喜朗说：“我很荣幸我的研究得到了认可。我从高中起就热爱科学，隐约对半导体、超导等材料的研究感兴趣，所以就报名了学校。制作一个薄膜晶体管需要大约一周的时间，但经过多次失败后，我终于成功了。”当实验成功时，我感到很有成就感。感谢实验室的前辈和古田教授的指导。我想接受挑战，创造出更高性能和可靠性的薄膜晶体管，并在未来从事工程师职业。”他表达了获奖的喜悦和愿望。
■薄膜材料与器件研究组最佳论文奖
主题：利用氧化铝栅极绝缘膜低温制造In-Ga-Zn-O薄膜晶体管
演讲者：Umi Mori 女士，材料工程硕士课程一年级
（顾问：先进材料与元素科学实验室古田守教授）
联合研究员：
先生是友大地，研究生院博士生三年级，基础工学课程
河野守矢，环境科学与工程组四年级
古田守教授，环境科学与工程系
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